Все разделы / Электроника физическая
(50 руб.)Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В работе снимаются передаточные и выходные характеристики. 2. Подготовка к работе Изучить следующие вопро...Подробнее... Скачано: 6
(40 руб.)Физические основы электроники. Зачет. Вариант 3. Билет 14
Билет № 14 1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определ...Подробнее...
(100 руб.)Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассч...Подробнее...
(150 руб.)Физические основы электроники. Лабораторные работы №1, 2, 3.
Лр №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а ...Подробнее...
(100 руб.)Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические п...Подробнее...
(40 руб.)Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". 2-й семестр. Вариант 5
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов Выводы по проделанно...Подробнее...
(50 руб.)
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к раб...Подробнее...
(200 руб.)Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 04
Задача 1: Дан биполярный транзистор КТ605А Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Находим h-параметры в р...Подробнее...
(50 руб.)
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, харак...Подробнее...
(120 руб.)Задачи по физике твердого тела
Задание № 1. Положение уровня Ферми для Mg (магния) при Т= 0К соответствует энергии 7,13эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости ...Подробнее...
(65 руб.)Контрольная работа по дисциплине: "Физические основы электроники". Вариант №3
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, расс...Подробнее...
(100 руб.)Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет №12
Билет № 12 1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения. Стабилитрон - это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Напряжение стабилизации - знач...Подробнее...
(70 руб.)Лабораторная работа №3 по физическим основам электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Отчет о работе 2.1. Снять ...Подробнее...
(40 руб.)Лабораторная работа №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" 2-й семестр. Вариант 5
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Выводы ...Подробнее...
(250 руб.)Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 1...Подробнее...
(50 руб.)
Физические основы электроники. Лабораторная №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. ...Подробнее...
(100 руб.)
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.Подробнее...
(50 руб.)Зачёт по предмету «Физические основы электроники». Билет №1, 3-й сем.
Билет № 1. 1. Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность. 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характери...Подробнее...
(85 руб.)Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассч...Подробнее...
(100 руб.)Лабораторная работа №3 по дисциплине: "Физические основы электроники"
Тема: " ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ" 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Отчет о работе 2.1...Подробнее...
(150 руб.)Экзамен по физическим основам электроники. Билет №12
Билет № 12 1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения. 2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.Подробнее...
(80 руб.)Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант № 5
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагруз...Подробнее...
(145 руб.)Контрольная работа "Физические основы электроники" . 24 вариант
Зад 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчита...Подробнее...
(70 руб.)Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3 семестр. Вариант3/0
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассч...Подробнее...
(29 руб.)Исследование статических характеристик полевого транзистора
Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.Подробнее...
(70 руб.)Лабораторная работа №1 по дисциплине: "Физические основы электроники"
Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а ...Подробнее...
(75 руб.)Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
ЗАДАЧА №1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, расс...Подробнее...
(80 руб.)Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №1
Задача №1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложения 2) включённого по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Дано: тр...Подробнее...
Исследование поверхности покрытий в магнитоуправляемых контактах методом туннельной микроскопии
Содержание 1. Введение. Технико-экономическое обоснование. 7* 2. Обзор научно-технической литературы. 2.1 Особенности работы и устройство магнитоуправляемых контактов. 2.1.1 Устройство герконов. У...Подробнее...
(100 руб.)Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.:...Подробнее...
Cодержание / Электроника физическая