Технология структур кремния на изоляторе

ID: 110720
Дата закачки: 16 Сентября 2013
Продавец: alfFRED (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Курсовая
Форматы файлов: Microsoft Office

Описание:
Введение

1. Преимущества технологии КНИ

2. Конструктивное исполнение структур КНИ

3. Технологии создания структур КНИ

3.1 Ионное внедрение

3.2 Сращивание пластин

3.3 Управляемый скол

3.4 Эпитаксия

4. Технологический маршрут и операции получения структур КНИ методом управляемого скалывания

5. Использование технологии КНИ в технике

6. Перспективы

Список литературы

Введение

Структура КНИ представляет собой технологию изготовления полупроводниковых приборов, основанной на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин.

Развитие технологий производства структур "кремний на изоляторе" (КНИ) в условиях чистых производственных помещений и лабораторий необходимо для:

1) создания новой элементной базы микроэлектроники (предназначенной для производства интегральных схем с наилучшими эксплуатационными параметрами и радиационно стойких ИС);

Размер файла: 139 Кбайт
Фаил: