Все разделы / Микроэлектроника /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

За деньгиЗа деньги (60 руб.)

Контрольная работа. Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры

Дата закачки: 15 Января 2016
Продавец: anderwerty
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ******* Не известно

Описание:
Контрольная работа № 1
Вариант 3
Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см-3. Концентрация примеси в подложке – 1015см –3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?


Контрольная работа № 2
Работа №1б. Резисторы полупроводниковых ИС
Задание на работу
Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несуший слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие:
- удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2;
-ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм];
-контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов);
-координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм;
-напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B;
-допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07;
-погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм;
-глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм.
Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным.
№ Структура Тип топологии Слой, R□ [Ом] R [Ом], d R
28 ЭПСК1 3 B — слой, 300 2000; 0,2




Коментарии: 2014

Размер файла: 1,1 Мбайт
Фаил: Microsoft Word (.docx)

-------------------
Обратите внимание, что преподователи часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите что бы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

 Скачать Скачать

 Добавить в корзину Добавить в корзину

        Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

К сожалению, предложений нет. Рекомендуем воспользваться поиском по базе.




Страницу Назад

  Cодержание / Микроэлектроника / Контрольная работа. Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры

Вход в аккаунт:

Войти

Перейти в режим шифрования SSL

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт




Сайт помощи студентам, без посредников!