Все разделы / Физические основы электроники /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

За деньгиЗа деньги (500 руб.)

Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29

Дата закачки: 13 Апреля 2016

Автор: Генадий
Продавец: pccat
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СПбГУТ

Описание:
Задания из контрольной (вариант 29):

Задача 1.1
 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
 По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
 Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei

Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3, Т = 300 К.
Определить концентрацию атомов донорной примеси Nд
Полупроводник по условию варианта 29 – арсенид галлия GaAs.

Задача 1.10
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, τ = 10-7 с.
Определить интервал времени t после выключения внешнего воздействия, в течение которого концентрация избыточных электронов уменьшится в К раз.
По условию задачи К = 2.

Задача 2.1
 Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях
полупроводника, образующих резкий р-n-переход, равны ND = 1016 см-3 и
NА = 1015 см-3, Т=300 К. Полупроводник – германий.
 Определить контактную разность потенциалов φк0 и ширину перехода Δ0 в равновесном состоянии (u = 0), а также отношение ширины участков перехода, лежащих в n и р областях Δn/Δp.

Задача 2.6
 Обратный тепловой ток резкого р-п перехода Io = 10-12 А, сопротивление тела базы = 60 Ом. Т = 300 К.
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВAX р-n-перехода в интервале токов i =0...20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить смещение прямой ветви BAX вдоль оси напряжений ΔU при изменении температуры на ΔT.

Задача 2.10
 Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n переход равны: ND = 1017 см-3, NA = 1015 см-3, площадь перехода равна S = 0,001 см2.
 Полупроводник – германий.
 Определить обратный тепловой ток перехода Iо, барьерную емкость СБ и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (U = 0, I = 0).

Задача 3.3
 МДП-транзистор с индуцированным каналом п-типа включен по схеме ОИ. Напряжения между электродами: Uзи = 3 В, Uси = 5 В, Uпор = 1 В.
 Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить в каком режиме работает транзистор.

Задача 3.8
 Биполярный транзистор p-n-p структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, Iэбк = 10-13, Iкбк = 3,3·10-13 А включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами равны:
Uэб = - 5 В, Uкб = - 10 В.
 Определить в каком режиме работает транзистор. Определить напряжение Uкэ, токи Iэ, Iк, Iб

Задача 3.11
 Биполярный транзистор n-p-n структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, Iэбк = 10-13, Iкбк = 3,3·10-13 А включен по схеме ОЭ, напряжение Uкэ = 5,0 В.
 Используя классическую модель транзистора Эберса-Молла, рассчитать и построить на графике зависимость тока коллектора ik от напряжения uкэ в интервале iк = 0 … 10 мА.



Коментарии: Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им. проф. М. А. Бонч-Бруевича.
Вариант 29
Оценка - отлично

Размер файла: 357,5 Кбайт
Фаил: Microsoft Word (.doc)

-------------------
Обратите внимание, что преподователи часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите что бы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

 Скачать Скачать

 Добавить в корзину Добавить в корзину

        Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №16. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №12. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.

Сдай работу играючи!

Рекомендуем вам также биржу исполнителей. Здесь выполнят вашу работу без посредников.
Рассчитайте предварительную цену за свой заказ.



Страницу Назад

  Cодержание / Физические основы электроники / Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29

Вход в аккаунт:

Войти

Перейти в режим шифрования SSL

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт




Сайт помощи студентам, без посредников!