Все разделы / Физические основы электроники /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

За деньгиЗа деньги (200 руб.)

Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22

Дата закачки: 20 Апреля 2016
Продавец: freelancer
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Билеты экзаменационные
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1
Таблица компоновки билетов

 Тестовые вопросы Задача
Вариант № 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос № 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:

Вопрос № 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.

Вопрос № 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2)  эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.

Вопрос № 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.

Вопрос № 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;

Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?



Коментарии: Оценка: "Отлично"


Размер файла: 42,2 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.rar)

-------------------
Обратите внимание, что преподователи часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите что бы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

 Скачать Скачать

 Добавить в корзину Добавить в корзину

        Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

К сожалению, предложений нет. Рекомендуем воспользваться поиском по базе.

Сдай работу играючи!

Рекомендуем вам также биржу исполнителей. Здесь выполнят вашу работу без посредников.
Рассчитайте предварительную цену за свой заказ.



Страницу Назад

  Cодержание / Физические основы электроники / Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22

Вход в аккаунт:

Войти

Перейти в режим шифрования SSL

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт




Сайт помощи студентам, без посредников!