Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
50 Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). 19-й вариант. Вид работы: Лабораторная работа 1«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»ID: 188467Дата закачки: 03 Февраля 2018 Продавец: Yekaterina (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Лабораторная работа №1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” 1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2. Подготовка к работе 2.1. Изучить следующие вопросы курса: • цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления; • построение и использование нагрузочных прямых резисторного каскада для постоянного и переменного токов на семействе выходных статических характеристик; • свойства и особенности каскадов предварительного усиления; • назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада; • амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) резисторного каскада; • переходные характеристики резисторного каскада; • эквивалентные схемы и линейные искажения в резисторном каскаде; расчетные соотношения для резисторного каскада. 2.2. Изучить принципиальную схему усилителя (рисунок 12), особенности работы с программой Electronics workbench. 2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя: • Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада. • Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4. • Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. • Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада: tуст = 2,2× Сн× Rэв вых, (2.1) где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот. • Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен: D общ = D Ср вх + D Ср вых , (2.2) Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА. Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2) Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 17.01.2018 Рецензия:Уважаемая , Бородихин Михаил Григорьевич Размер файла: 396,9 Кбайт Фаил: (.rar) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 3 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Схемотехника телекоммуникационных устройствЕщё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Схемотехника телекоммуникационных устройств / Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). 19-й вариант. Вид работы: Лабораторная работа 1«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»
Вход в аккаунт: