Все разделы / Физические основы электроники /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

За деньгиЗа деньги (1000 руб.)

Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 09

ID: 188788
Дата закачки: 13 Февраля 2018
Продавец: apple93
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Курсовая

Описание:
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (Рис. 3) задаемся приращением тока базы  IБ = ± 50 = 100 мкА относительно рабочей точки IБ0 = 250 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (Рис. 3) задаемся приращением тока базы  IБ = ± 50 = 100 мкА относительно рабочей точки IБ0 = 250 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (Рис. 3) задаемся приращением тока базы  IБ = ± 50 = 100 мкА относительно рабочей точки IБ0 = 250 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (Рис. 3) задаемся приращением тока базы  IБ = ± 50 = 100 мкА относительно рабочей точки IБ0 = 250 мкА.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты½ Н21½ / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты½ Н21½ / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты½ Н21½ / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дан полевой транзистор типа КП903А, напряжение сток-исток UСИ0= 10В, UЗИ0=8В и выходные характеристики


Размер файла: 528,4 Кбайт
Фаил: Microsoft Word (.docx)

-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

 Скачать Скачать

 Добавить в корзину Добавить в корзину

        Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №16. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 06. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №12. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.


Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Физические основы электроники / Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 09

Вход в аккаунт:

Войти

Перейти в режим шифрования SSL

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
Z-PAYMENT VISA Card MasterCard Yandex деньги WebMoney Сбербанк или любой другой банк SMS оплата ПРИВАТ 24 qiwi PayPal

И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках

Здесь находится аттестат нашего WM идентификатора 782443000980
Проверить аттестат


Сайт помощи студентам, без посредников!