Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
149 Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.ID: 189110Дата закачки: 22 Февраля 2018 Продавец: Uiktor (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: ЛР№1 Цель работы. Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе. 1. Изучить следующие вопросы курса: 2. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 3. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 4. Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов. 5. Влияние температуры на характеристики и параметры диодов. 6. Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение. Порядок проведения лабораторной работы. 1. Снятие вольтамперной характеристики при прямом включении германиевого диода марки Д7Ж (рисунок 1.1). Результаты сведены в таблицу 1.1а. Таблица 1.1а - Диод D7Ж UПР, В 0 0,254 0,310 0,345 0,371 0,391 0,406 0,422 0,437 IПР, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8 По ВАХ D7Ж рассчитываем и заносим результаты в таблицу 1.3: ЛР№2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 1а, рис. 1б. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В . Результаты измерений занести в таблицу 1. Снять три выходные характеристики транзистора IК = f(UКБ). Первую для IЭ = 0, вторую для IЭ = 2 мАи третью для IЭ = 5 мА . Результаты измерений занести в таблицу 2. ЛР№3 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Порядок проведения лабораторной работы. 1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1. Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ). UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604 IС,мА 0,64 0,54 0,42 0,30 0,20 0,10 0,05 0,03 0,02 0,01 0,01 По графику передаточной характеристики определяем значение напряжения отсечки UЗИ0=-0,457В (значение напряжения на затворе, при котором ток стока IC снизился до 0,1мкА) Снятая с осциллографа передаточная вольтамперная характеристика представлена на рисунке 3.2. Комментарии: Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 2 Оценка:Зачет Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 3 Оценка:Зачет Размер файла: 1,9 Мбайт Фаил: 
(.rar)
------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 8 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! |
||||
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Физические основы электроники / Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.
Вход в аккаунт: