200

Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторная работа №1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”. Вариант 7

ID: 197711
Дата закачки: 16 Января 2019
Продавец: SibGUTI (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Схемотехника телекоммуникационных устройств

Вариант 7

Лабораторная работа №1

“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”

1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).


2. Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
• цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления;
• построение и использование нагрузочных прямых резисторного каскада для постоянного и переменного токов на семействе выходных статических характеристик;
• свойства и особенности каскадов предварительного усиления;
• назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада;
• амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) резисторного каскада;
• переходные характеристики резисторного каскада;
• эквивалентные схемы и линейные искажения в резисторном каскаде; расчетные соотношения для резисторного каскада.
2.2. Изучить принципиальную схему усилителя (рисунок 3.1), особенности работы с программой
2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя:
• Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада.
• Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4.
• Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами.
• Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада:
tуст = 2,2 Сн Rэв вых,     (2.1)
где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот.
• Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен:
 общ =  Ср вх +  Ср вых ,     (2.2)


Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб  б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.




Комментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка: Зачет
Дата оценки: 16.01.2019
Рецензия: Уважаемый ................................,

Бородихин Михаил Григорьевич

Размер файла: 569 Кбайт
Фаил: (.doc)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

Скачать

Добавить в корзину

Занесено в корзину

    Скачано: 3         Коментариев: 0

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1-я). Лабораторная работа №1. Вариант 20.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств . 3-й семестр. Вариант №9
Лабораторная работа №1: Схемотехника телекоммуникационных устройств. 3-й семестр
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4
Лабораторная работа №1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” По дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств Вариант 08
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.