Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №8ID: 236042Дата закачки: 09 Мая 2023 Продавец: IT-STUDHELP (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Лабораторная работа 1 РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). ЗАДАНИЕ 1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации. 1.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов ИМС должно быть по возможности минимальным. 1.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики (ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника). 1.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства). ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ Y2=X1∙X2∙X3+X4∙X5∙X6!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! ============================================= Лабораторная работа 2 Изучение интегральных операционных усилителей Цель работы Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ). Задание 1. Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную индивидуальным заданием. 2. Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и амплитудно-частотной характеристик. 3. Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать: - схему устройства; - виды характеристик (амплитудной и АЧХ); - список использованных источников информации. Исходные данные: Инвертирующий усилитель (рисунок 1). Рисунок 1 – Инвертирующий усилитель ============================================= ============================================= Контрольная работа АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ Цель работы Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники. Задание. 1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. Исходные данные Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1. Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5. ------------------------------------------------------------------------------ Таблица 2.1– Данные для вариантов элементной базы Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС 08 AMD Sempron M 2800+ КТ372А 6Э13Н ATF1504ASL Таблица 2.2 – Параметры ЭВП № Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб 08 6Э13Н 140 6,3 7 27 12 11 20,8 5 140 Таблица 2.3 – Параметры транзисторов № Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб 08 КТ372А 10 10 3,6 1,7 0,2 54,87 Таблица 2.4 – Параметры БИС № Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб 10 ATF1504ASL 30 6000 5,0 100 144 1,2 12 242,32 Таблица 2.5 – Параметры наноизделий № Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб. Min Max Min Max 20 AMD Sempron M 2800+ 109 754 25 35 1,6 112 1,1 1,3 3,2 90 2002 Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час Транзисторы 0,01 Паяное соединение 0,0003 БИС 0,02 Наноиздение 0,03 ЭВП 0,25 Механическое соединение 0,01 ============================================= Комментарии: Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна Оценка: Отлично Дата оценки: 09.05.2023г. Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ. E-mail: sneroy20@gmail.com E-mail: ego178@mail.ru Размер файла: 181,8 Кбайт Фаил: 
(.rar)
------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! |
||||
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №8
Вход в аккаунт: