Все разделы / Основы схемотехники /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

За деньгиЗа деньги (90 руб.)

Основы Схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе

Дата закачки: 06 Апреля 2010

Автор: Vladilen
Продавец: Vladilen
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Лабораторная работа № 1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
1.Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Задание:
2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя:
•Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада. •Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4. •Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. •Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада: tуст = 2,2× Сн× Rэв вых,(2.1)
где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот.
•Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен: D общ = D Ср вх + D Ср вых ,(2.2)
Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.


Коментарии: 2008г.
зачет.


Размер файла: 109,4 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.zip)

 Скачать Скачать

 Добавить в корзину Добавить в корзину

    Скачано: 9         Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Лабораторные работы №1 и №2 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №1. СИБГУТИ. ДО
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Основы схемотехники. “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”. Вариант №10
Основы схемотехники. Лабораторные работы №1, 2, 3. Вариант №4 (номер бригады 4).
Лабораторная работа № 1по дисциплине: Основы схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе.
Основы схемотехники. Лабораторная работа №1: Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
Лабораторная работа №1. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Основы схемотехники.
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !




Страницу Назад

  Cодержание / Основы схемотехники / Основы Схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе

Вход в аккаунт:

Войти

Перейти в режим шифрования SSL

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт




Сайт помощи студентам, без посредников!