Все разделы / Физика. Физика математическая /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

За деньгиЗа деньги (70 руб.)

Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Дата закачки: 15 Декабря 2010

Автор: qawsedrftgyhujik
Продавец: qawsedrftgyhujik
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
Задание

1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от   .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от    и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Выводы: В результате выполненной работы и на основе полученных результатов можно сделать вывод, что удельная проводимоть полупроводников с повышением температуры растет и если представить зависимость ln от   , то это прямая, по наклону которой определяется ширина запрещенной зоны, которая равна


Коментарии: 2010год, Грищенко И В.,Зачет.

Размер файла: 28,3 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.rar)

 Скачать Скачать

 Добавить в корзину Добавить в корзину

    Скачано: 16         Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

ФИЗИКА (спец.главы). Лабораторная работа 6.8. Вариант 2. 1 курс. 2 семестр
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физика. Вариант №1
Лабораторная работа №4 по дисциплине: «Физика». Вариант №7.
Лабораторная работа по физике № 3 (6.8) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 3 вариант
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы). Вариант №5.
Лабораторная работа По дисциплине: Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №1. СИБГУТИ
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.

Сдай работу играючи!

Рекомендуем вам также биржу исполнителей. Здесь выполнят вашу работу без посредников.
Рассчитайте предварительную цену за свой заказ.



Страницу Назад

  Cодержание / Физика. Физика математическая / Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Вход в аккаунт:

Войти

Перейти в режим шифрования SSL

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт




Сайт помощи студентам, без посредников!