Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
Лабораторная работа 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистораID: 5479Дата закачки: 17 Декабря 2008 Продавец: (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Office Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем. 2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения. 2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ. 2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик. 2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры. 2.1.8 Дифференциальные параметры БТ. 2.1.9 Усилитель на БТ. 2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы: 2.2.1 Устройство плоскостного транзистора. 2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфого транзистора. 2.2.3 Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n. 2.2.4 Начертить потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов в различных режимах их работы. 2.2.5 Из каких компонент состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора? 2.2.6 Из каких компонент состоит ток базы? 2.2.7 Дать определение коэффициентов инжекции и переноса. 2.2.8 Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения? 2.2.9 Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ. 2.2.10 Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ. 2.2.11 Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения. 2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора? 2.2.13 Объяснить влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ. 2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры? 2.2.15 Объяснить построение рабочей области выходных характеристик транзистора. 2.2.16 Объяснить влияние температуры на рабочую область БТ . 2.2.17 Привести систему Н-параметров транзистора, указать назначение каждого параметра и показать их определение по характеристикам. 2.2.18 Объяснить принцип работы БТ в усилительном режиме. 2.2.19 Назвать основные типы биполярных транзисторов (с точки зрения мощностей и частот). 3. Схемы исследования Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. Схема исследования усилителя на БТ приведена на рисунке 2.3 4. Порядок проведения экспериментов 4.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ. Для этого выбрать “Лабораторная работа №2”. Затем “Схема с ОБ - входные характеристики” и “Начать эксперимент”. Снять две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=8 В. Для того, чтобы получить две характеристики на одном экране нужно после окончания измерения первой характеристики нажать кнопку сброс, выставить новое значение напряжения UКБ и снять вторую характеристику. Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Пример заполнения таблицы для транзистора типа МП37 А приведен ниже. Таблица 2.1 - Транзистор МП37А. 4.2. Снять три выходные характеристики транзистора IК=f(UКБ). Первую для IЭ=0, вторую для IЭ=2 мА и третью для IЭ=5 мА. Результаты измерений занести в таблицу 2.2. Пример таблицы для того же транзистора дан ниже. Таблица 2.2 - Транзистор МП37А. 4.3 Снять две входные характеристики IБ=f(UБЭ): одну при UКЭ=0, вторую при UКЭ=8 В. Результаты измерений занести в таблицу 2.3. Пример таблицы дан ниже. Таблица 2.3 - Транзистор МП37А. 4.4 Снять семейство из 6 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая IБ=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В, а так же не превосходить мощность рассеивания на коллекторе (UКЭ∙IК=РК<РК max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4. Пример таблицы приведен ниже. Таблица 2.4 - Транзистор МП37А. 4.5. Исследовать работу усилителя. В исходном состоянии схемы транзистор работает в активном режиме (на выходе отсутствуют нелинейные искажения сигнала). Получить осциллограммы сигналов на входе и выходе усилителя для трех случаев: а) рабочая точка находится посредине рабочего участка; б) рабочая точка находится вблизи режима отсечки; в) рабочая точка находится вблизи режима насыщения. Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения Есм. 5. Содержание отчета 5.1 Тип исследуемого транзистора . 5.2 Схемы исследования. 5.3 Таблицы результатов измерений 5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже. 5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим). 5.6 Сделать выводы по работе. Комментарии: Год сдачи 2007 СибГУТИ Зачет Размер файла: 397,6 Кбайт Фаил: (.rar)
Скачано: 17 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы №№1, 2, 3. (Физические основы электроники) Для любого варианта.Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №2 .Вариант №8 2021 год Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр) Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для всех вариантов Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр). Вариант 3 Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр) Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов) Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника физическая / Лабораторная работа 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Вход в аккаунт: