Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
11 Исследование статических характеристик, статических и дифференциальных параметров полевых транзисторовID: 60578Дата закачки: 03 Января 2012 Продавец: Aronitue9 (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Описание: Цель работы: изучение принципа действия и основных свойств полевого транзистора с управляющим p-n переходом, его работы при усилении сигнала и в качестве регулируемого сопротивления; исследование статических и дифференциальных параметров; исследование статических вольт - амперных характеристик (входных, выходных и характеристик передачи). 1.1 Устройство и принцип работы Полевыми транзисторами (ПТ) называются приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем. От биполярных транзисторов (БТ) полевые транзисторы отличаются тем, что в токообразовании рабочего тока участвуют носители заряда только одного типа (электроны либо дырки). Этим объясняется второе название приборов - унитроны. Полевые транзиторы бывают двух видов: - с управляющим р-n - переходом; - со структурой "металл-диэлектрик полупроводник" (МДП - структуры). В данной лабораторной работе изучаются ПТ с управляющим р-n - переходом. Устройство транзистора показано на рисунке 4.1. Пластина из полупроводникового материала, имеющего примесную проводимость определенного типа (р - или n), выполняет функцию рабочего канала. От концов пластины сделаны два вывода: электрод, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называют истоком (И), а электрод, к которому движутся заряды, называется стоком (С). Вдоль пластины с обеих сторон выполнены управляющие р-n - переходы или барьеры Шотки. Заметим, что в отличие от БТ, плоскость р-n - перехода расположена параллельно потоку носителей. От р-n - переходов сделан третий вывод - затвор (3). Внешнее напряжение прикладывают так, что между электродами стока и истока протекает ток основных носителей, а напряжение, приложенное к затвору, смещает управляющий р-n - переход в обратном направлении. Как известно из теории р-n - переходов [1], при обратном смещении образуется запорный слой, обедненный носителями зарядов, с высоким электрическим сопротивлением (порядка десятков МОм). Последнее обуславливает принципиальную особенность Размер файла: 156,2 Кбайт Фаил: (.zip)
Скачано: 3 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для всех вариантовЛабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов) Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №04 Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты) Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12 Лабораторные работы по дисциплине: Физические основы электроники. Контрольная работа + Лабораторные по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №9 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Приборы и системы. Измерительная техника / Исследование статических характеристик, статических и дифференциальных параметров полевых транзисторов
Вход в аккаунт: