Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

11

Исследование статических характеристик, статических и дифференциальных параметров полевых транзисторов

ID: 60578
Дата закачки: 03 Января 2012
Продавец: Aronitue9 (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word

Описание:
Цель работы:
изучение принципа действия и основных свойств полевого транзистора с управляющим p-n переходом, его работы при усилении сигнала и в качестве регулируемого сопротивления; исследование статических и дифференциальных параметров; исследование статических вольт - амперных характеристик (входных, выходных и характеристик передачи).
1.1 Устройство и принцип работы

Полевыми транзисторами (ПТ) называются приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем. От биполярных транзисторов (БТ) полевые транзисторы отличаются тем, что в токообразовании рабочего тока участвуют носители заряда только одного типа (электроны либо дырки). Этим объясняется второе название приборов - унитроны.
Полевые транзиторы бывают двух видов:
- с управляющим р-n - переходом;
- со структурой "металл-диэлектрик полупроводник" (МДП - структуры).
В данной лабораторной работе изучаются ПТ с управляющим р-n - переходом. Устройство транзистора показано на рисунке 4.1. Пластина из полупроводникового материала, имеющего примесную проводимость определенного типа (р - или n), выполняет функцию рабочего канала. От концов пластины сделаны два вывода: электрод, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называют истоком (И), а электрод, к которому движутся заряды, называется стоком (С). Вдоль пластины с обеих сторон выполнены управляющие р-n - переходы или барьеры Шотки. Заметим, что в отличие от БТ, плоскость р-n - перехода расположена параллельно потоку носителей. От р-n - переходов сделан третий вывод - затвор (3). Внешнее напряжение прикладывают так, что между электродами стока и истока протекает ток основных носителей, а напряжение, приложенное к затвору, смещает управляющий р-n - переход в обратном направлении. Как известно из теории р-n - переходов [1], при обратном смещении образуется запорный слой, обедненный носителями зарядов, с высоким электрическим сопротивлением (порядка десятков МОм). Последнее обуславливает принципиальную особенность

Размер файла: 156,2 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.zip)

   Скачать

   Добавить в корзину


    Скачано: 3         Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для всех вариантов
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №04
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)
Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
Лабораторные работы по дисциплине: Физические основы электроники.
Контрольная работа + Лабораторные по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №9
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Приборы и системы. Измерительная техника / Исследование статических характеристик, статических и дифференциальных параметров полевых транзисторов
Вход в аккаунт:
Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
UnionPay СБР Ю-Money qiwi Payeer Крипто-валюты Крипто-валюты


И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!