Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
40 Контрольная работа по химии радиоматериалов. Вариант № 7ID: 71079Дата закачки: 13 Июля 2012 Продавец: te86 (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: 3.1 Проводниковые материалы Задача № 3.1.1 Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1, То2, То3, если провод имеет сечение S и по нему течет ток I. Дано: Материал – Cu (медь) То1=-30 C То2=+25 С То3=+50 C L=200 км S=7,5 мм2 I=60 А Найти: ∆U Решение: По закону Ома падение напряжения ΔU при токе I в проводнике сопротивлением R на участке длиной высчитывается по формуле 1: Задача № 3.1.2 Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P. Дано: Материал – Х20Н80 R=1000Ом P=10Вт j=0,8А/мм2 ρ0=1,05мкОм*м Найти: L Решение: Способ 1 Сопротивление проволоки рассчитываем по формуле: 3.2 Полупроводниковые материалы Задача 3.2.1 Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре. Дано: Полупроводник материал – Ge Примесь - фосфор N= 2 * 1018см-3 Найти: ni , pд Решение: Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике: Задача 3.2.2 Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и примесного полупроводника при заданной температуре Т. Дано: Полупроводник материал – Ge Примесь - фосфор N= 2 * 1018см-3 То=330 К Найти: γсобст Решение: Удельная проводимость собственного полупроводника Задача 3.2.3 Определить диффузионную длину движения неравновесных носителей заряда в полупроводниковом материале при заданной температуре То, если время их жизни τ. Дано: Материал – Ge - n – типа То=330 К τ = 50мкс Найти: Ln Решение: Основными, называются носители заряда в проводнике, концентрация которых больше. В проводнике n-типа основными носителями являются электроны. В таком полупроводнике появление неравновесных носителей заряда не вызывает существенного изменения концентрации основных носителей заряда. В этих условиях скорость рекомбинации пропорциональна избыточной концентрации неосновных носителей (т.е. дырок), а время жизни оказывается постоянным. Такую рекомбинацию называют линейной. Диффузионной длиной называется среднее расстояние, на которое носитель диффундирует за время жизни: Основными носителями заряда являются электроны (полупроводник n-типа). Диффузионная длина основных носителей заряда (электронов) рассчитывается по формуле: Задача № 3.3.1 Конденсаторная керамика при 20°С имеет проводимость γ° = 10-13 Сим/см. Какова проводимость γт при заданной температуре, если температурный коэффициент сопротивления α= 0,8? Дано: Найти: γт Решение: Проводимость и удельное сопротивление взаимно обратно пропорциональны: Зависимость объемного удельного сопротивления твердого диэлектрика от температуры выражается формулой: , где – сопротивление диэлектрика при температуре окружающей среды 20˚С, - температурный коэффициент сопротивления (1) Задача № 3.3.2 Определить пробивное напряжение Uпр между электродами конденсатора на рабочей частоте f, если температура, до которой нагревается в электрическом поле диэлектрический материал толщиной h конденсатора, не превышает Токр. Дано: Материал – стеклотекстолит f=10 кГц h=1 мм Т=60 оС tg δ=2 * 10-2 α tg δ=0,02 1/К ε=3,5 σ= 22[Вт/см2*град] Найти: Uпр Решение: Пробивное напряжение найдем по формуле: Задача № 3.3.3 Как изменится электрическая прочность воздушного конденсатора, если расстояние между электродами уменьшить от h1 до h2? Дано: h1=10 см=100мм h2=1 см=10мм Найти: Решение: Электрическая прочность диэлектрика: Задача № 3.4.1 Один из магнитных сплавов с прямоугольной петлей гистерезиса ППГ имеет следующие параметры: поле старта Hо, коэрцитивную силу Hс, коэффициент переключения Sф. Найти время переключения Дано: Hо=14А/м Hс=12А/м Sф=32 мкк/м Найти: i Решение: коэффициент переключения рассчитывается по формуле: , отсюда Задача 3.4.2. Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала α. Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала μ и ε, если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала μа, εм имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола ε д=2,5. Дано: α=0,5 εм=55 Найти: μ,ε Решение: Магнитная проницаемость магнитодиэлектрика рассчитывается по формуле: , где - магнитная проницаемость наполнителя. Для наполнителя HН400 Комментарии: Работа контрольная по химии радиоматериалов вариант 07 год сдачи 2012 Размер файла: 311,1 Кбайт Фаил: (.rar) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 24 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Контрольная работа по дисциплине: "Химия радиоматериалов". 3-й вариантКонтрольная работа по дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант №8. Контрольная работа по дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант: 03 Контрольная работа №1 По дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант №2. Контрольная работа по дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант №9. 1 курс 1 семестр. Контрольная работа по дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант №02. Контрольная работа по дисциплине "Химия радиоматериалов". Вариант №2. Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Химия радиоматериалов / Контрольная работа по химии радиоматериалов. Вариант № 7
Вход в аккаунт: