Беляев А.Е., Конакова Р.В. (ред.) Карбид кремния: технология, свойства, применение

ID: 81758
Дата закачки: 29 Октября 2012
Продавец: alfFRED (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Пособие

Описание:
Харьков: «ИСМА». 2010. - 532 с.

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по методам выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок SiC, а также карбидкремниевой керамики. Опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах авторы рассматривают дефектообразование в SiC, роль дислокаций в процессах деградации р-п переходов и диодов Шоттки. Значительное место в монографии уделено фрагментам технологии карбидкремниевых приборных структур: окислению SiC и формированию омических и барьерных контактов. Представлены данные о структуре и параметрах карбидкремниевых микроволновых диодов, а также рассмотрены различные области применения SiC и карбидкремниевой керамики.

Содержание:
Методы получения полупроводникового SIC
-Выращивание полупроводниковых монокристаллов методом сублимации
-Физико-химические основы метода сублимации
-Сопутствующие процессы, определяющие условия роста карбида кремния
-Образование дефектов в карбиде кремния при росте из паровой фазы
-Выращивание эпитаксиальных слоев и кристаллов методом парофазного химического осаждения
-Выращивание эпитаксиальных слоев и кристаллов из растворов—расплавов
-Методы нанесения тонких пленок SiC
-Параметры и свойства примесей и дефектов в карбиде кремния
-Методы получения и особенности применения керамики на основе SiC
Термическое и фотонностимулированное окисление SIC
Особенности формирования и термостабильность контактов металл - карбид кремния
-Барьерные контакты
-Омические контакты к SiC
Микроволновые карбидкремниевые диоды
Электрическая активность дислокаций в SIC р-п переходах и диодах Шоттки

Размер файла: 8,3 Мбайт
Фаил: