Источники излучения в интегрально-оптических схемах

ID: 93512
Дата закачки: 11 Марта 2013
Продавец: GnobYTEL (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Рефераты
Форматы файлов: Microsoft Word

Описание:
Конструкции полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов (СД) , применяемых в ВОСП, весьма разнообразны.Конструкции СД выбирают с таким расчетом,чтобы уменьшить собственное самопоглощение излучения,обеспечить режим работы при высокой плотности тока инжекции и увеличить эффективность ввода излучения в волокно.Для повышения эффективности ввода используют микролинзы как формируемые непосредственно на поверхности прибора,так и внешние.
В настоящее время получили распространение две основные модификации СД:поверхностные и торцевые.В поверхностных СД излучение выводится в направлении,перпендикулярном плоскости активного слоя,а в торцевых из активного слоя- в параллельной ему плоскости.Схематическое изображение конструкции СД обоих типов приведено на рисунке.Для улучшения отвода тепла от активного слоя при высокой плотности токанакачки применяют теплоотводы.
Вывод излучения в СД поверхностного типа на арсениде галлия осуществляют через круглое отверстие,вытравленное в обложке.В это отверстие вставляют оптическое волокно и закрепляют его с помощью эпоксидной смолы.Такую конструкцию светодиода называют диодом Барраса.Известны также конструкции поверхностных СД с выводом излучения непосредственно через подложку.Такие конструкции применяются в СД на четырехкомпонентном соединении GaInAsP.В этом случае подложка из InP является прозрачным окном.

Размер файла: 15,1 Кбайт
Фаил: