550

Контрольная работа по дисциплине «Технология ЭВС». Вариант № 8

ID: 99549
Дата закачки: 27 Июня 2013
Продавец: Помощь студентам СибГУТИ ДО (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ТУСУР

Описание:
8. Указать параметры подложки марки:
Двухслойные пластины со скрытым слоем маркируются дробью с числовым коэффициентом, например, следующим образом:
18. При создании легированных областей методом ионного легирования максимум концентрации примеси находится:
а) на глубине -перехода; ;
б) на поверхности;
в) на глубине средней проекции пробега ;
в) на глубине ;
38. При получении толстого маскирующего оксида кремния (1,5 мкм) используют:
а) термическое окисление в сухом кислороде;
б) термическое окисление в парах воды;
в) комбинированную технологию.
48. Определить время, необходимое для создания изопланарной изоляции. Эпитаксиальная пленка имеет толщину 3 мкм. Процесс окисления проходит во влажном кислороде при температуре 1200ºС и давлении кислорода 2 МПа.
58. Представить структуру диффузионно-планарного биполярного транзистора.


Комментарии: Работа сдана в 2012 году.Зачтено

Размер файла: 91,4 Кбайт
Фаил: (.docx)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

Скачать

Добавить в корзину

Занесено в корзину

    Скачано: 1         Коментариев: 0

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

К сожалению, точных предложений нет. Рекомендуем воспользоваться поиском по базе.