Все разделы / Физические основы электроники

Отбор

Способ получения:
Тип:
Учебное заведение:
Сортировка:

Если не получится найти. Мы можем помочь сделать!

 
(200 )

Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.
Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр. Билет № 3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоя...
Подробнее...
(57 )

Билет №13. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Билет № 13 1. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения. 2. Методы улучшения частотных свойств БТ. Дрейфовый транзистор.
Подробнее...
(50 )

Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчи...
Подробнее...
(100 )

Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №20
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (Таблица 1), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а)...
Подробнее...
(250 )

Устройства СВЧ и оптического диапазона. Контрольная работа №1. Вариант №4
Задача № 1 В двухрезонаторном клистроном усилителе, работавшем в оптимальном режиме, изменили один из параметров. Требуется определить, как надо изменить другой параметр, чтобы получить ту же выходную...
Подробнее...
(100 )

Физические основы электроники. Вариант №11
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристик...
Подробнее...
(30 )

Лабораторная работа № 3 по дисциплине: Физические основы электроники "ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ" Вариант: 11
Вывод: Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. ...
Подробнее...

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !

(50 )

Экзамен билет№ 10. Физические основы электроники
билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Подробнее...
(100 )

Лабораторные работы №№1-3. Вариант №1
Лабораторная работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Лабораторная работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Лабораторная работа №3 Ис...
Подробнее...
(80 )

Лабораторная работа №1. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. 1. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, парамет...
Подробнее...
(100 )

Экзамен по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №14
Билет № 14 1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определени...
Подробнее...
(100 )

Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, расс...
Подробнее...
(170 )

Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассч...
Подробнее...
(170 )

Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
№ 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать...
Подробнее...
Сдай работу играючи!

Рекомендуем вам также биржу исполнителей. Здесь выполнят вашу работу без посредников.
Рассчитайте предварительную цену за свой заказ.
(100 )

Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №16, Вариант №7
Билет № 16 1 Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики. 2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов...
Подробнее...
(50 )

Контрольная работа №1. Вариант №0
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассч...
Подробнее...
(100 )

Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет № 6
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния 2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики
Подробнее...
(100 )

Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №22
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать п...
Подробнее...
(50 )

Лабораторная работа №1. Вариант №1. Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также т...
Подробнее...
(50 )

Лабораторная работа №2. Вариант №1. Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы: Познакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в с...
Подробнее...
(400 )

Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,№2,№3. Вариант №5
1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора 3. Исследование статических характеристик и параметров полевых тран...
Подробнее...

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !

(99 )

Зачетная работа По дисциплине: Физические основы электроники. Билет №14
Билет № 14 1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод опреде...
Подробнее...
(100 )

Зачет по дисциплине: Физические основы электроники
ВАРИАНТ 6 Содержание: 1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6 2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
Подробнее...
(50 )

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также т...
Подробнее...
(200 )

Физические основы электроники. Билет: №15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область. Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных н...
Подробнее...
(175 )

Физические основы электроники
Билет № 5 1. Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены. 2. Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ ...
Подробнее...
(50 )

ЭКЗАМЕН Физические Основы Электроники, БИЛЕТ №10, 2-й семестр
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ h - ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Подробнее...
(100 )

Лабораторные работы по физическим основам электроники №1,2,3, 2 семестр
Лабораторная работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Лабораторная работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Лабораторная работа №3 И...
Подробнее...

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !

(150 )

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ФИЗИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОНИКИ вариант 10
Вариант задания к задачам №1; 2; 3 - 0; Вариант задания к задаче №4 - 1
Подробнее...
(75 )

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к р...
Подробнее...

Страницы: 13 4 5 6 79 |
  Cодержание / Физические основы электроники

Вход в аккаунт:

Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
Yandex деньги WebMoney Сбербанк или любой другой банк SMS оплата ПРИВАТ 24 qiwi PayPal Крипто-валюты

И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках

Здесь находится аттестат нашего WM идентификатора 782443000980
Проверить аттестат


Сайт помощи студентам, без посредников!