Все разделы / Электроника /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

(300 )

Расчет полевого транзистора (МДП-транзистора) с изолированным затвором

ID: 136643
Дата закачки: 16 Февраля 2014
Продавец: Hautamyak (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Самостоятельная
Форматы файлов: MathCAD, Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: РГРТУ

Описание:
В качестве подзатворного диэлектрика используются следующие материалы: SiO2, Si3N4, Al2O3. Для МДП-транзистора на основе кремния чаще всего используется двуокись кремния (SiO2), полученная методом термического окисления кремния. Толщина слоя диэлектрика определяется напряжением пробоя и обычно находится в пределах 0,05…0,1 мкм. Пленки Si3N4 и Al2O3 непосредственно на кремний не наносят, т.к. на границе раздела получаются большие плотности поверхностных состояний. По этому при необходимости их наносят на пленку SiO2 толщиной 40..50 нм. В МДП-транзисторах на основе арсенида галлия (GaAs) роль диэлектрика могут выполнять слои SiO2 , Si3N4 , Al2O3 .

Размер файла: 171,9 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.rar)

   Скачать

   Добавить в корзину


        Коментариев: 0


Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Электроника / Расчет полевого транзистора (МДП-транзистора) с изолированным затвором

Вход в аккаунт:

Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
Yandex деньги WebMoney Сбербанк или любой другой банк SMS оплата ПРИВАТ 24 qiwi PayPal Крипто-валюты

И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках

Здесь находится аттестат нашего WM идентификатора 782443000980
Проверить аттестат


Сайт помощи студентам, без посредников!