Шкаев А.Г. Твердотельная электроника: конспект лекций

ID: 75136
Дата закачки: 13 Сентября 2012
Продавец: ostah (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Лекции
Форматы файлов: Microsoft Word

Описание:
онная структура полупроводников
Термины и определения
Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми
Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
Определение положения уровня Ферми
Проводимость полупроводников
Токи в полупроводниках
Неравновесные носители
Уравнение непрерывности
Барьеры Шоттки, p-n переходы и гетеропереходы
Ток термоэлектронной эмиссии
Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p и n типов
Эффект поля, зонная диаграмма при эффекте поля
Дебаевская длина экранирования
Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки
Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении
Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки
Вольт амперная характеристика барьера Шоттки
Образование и зонная диаграмма р-n перехода
Распределение свободных носителей в p n переходе
Поле и потенциал в p n переходе
Компоненты тока в р n переходе
Вольт амперная характеристика р n перехода
Емкость p n перехода
Гетеропереходы
Вопросы для самопроверки
Полупроводниковые диоды
Характеристики идеального диода на основе p n перехода
Варикапы
Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на характеристики реальных диодов
Стабилитроны
Туннельный пробой в полупроводниках
Лавинный пробой в полупроводниках
Туннельный и обращенный диоды

Размер файла: 5,9 Мбайт
Фаил: