Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2011 №03

ID: 80340
Дата закачки: 16 Октября 2012
Продавец: Aronitue9 (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Описание:
Одесса: Издательство "Политехпериодика", 2011. - 56 с.

Основан в 1977 г. Одесским научно-исследовательским технологическим институтом "Темп" как отраслевой научно-технический сборник Министерства промышленности средств связи СССР "Техника средств связи. Серия ТПО". В 1991 г. преобразован в межотраслевой и зарегистрирован как научно-технический журнал СССР "Технология и конструирование в электронной аппаратуре". В 1992 г. перерегистрирован как СМИ Украины под тем же названием.
Журнал включен в международную справочную систему по периодическим и продолжающимся изданиям Ulrich’s Periodicals Directory (США).
Авторский коллектив — специалисты и ученые предприятий, организаций, вузов Украины, стран СНГ, Балтии и др.
Периодичность — 6 номеров в год.
Тематические рубрики номеров: техническая политика; современные электронные технологии; новые компоненты для электронной аппаратуры; электронные средства: исследования, разработки; системы передачи и обработки сигналов; микропроцессорные устройства и системы; вопросы приборостроения; энергетическая электроника; биомедицинская электроника; сенсоэлектроника; функциональная микро- и наноэлектроника; обеспечение тепловых режимов; технологические процессы и оборудование; материалы электроники; метрология, стандартизация; к истории науки и техники; новые книги.

Содержание:

Техническая политика
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов. Гуляев Ю. В., Ждан А. Г., Чучева Г. В.
Новые компоненты для электронной аппаратуры
Моделирование электротоковых микрореле. Мухуров Н. И., Ефремов Г. И., Жвавый С. П. (
Электронные средства: исследования, разработки
Выбор оптимальных параметров некоторых узлов частотомеров СВЧ-диапазона. Криваль И. И., Скрипнюк А. И., Проценко В. А., Марьенко А. В.
Скоростные уравнения экситонного лазера. Гаркавенко А. С.
Анизотропный термоэлемент в режиме генерации эдс и тока. Анатычук Л. И., Прибыла А. В.
Сенсоэлектроника
Индуктивный негасенсор. Войцеховская Е. В., Лищинская Л. Б., Лазарев А. А.
Функциональная микро- и наноэлектроника
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС. Горбань А. Н., Кравчина В. В.
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током. Добровольский Ю. Г., Ащеулов А. А.
Обеспечение тепловых режимов
Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники. Руденко А. И., Кравец В. Ю., Зарипов В. К.

Размер файла: 3,1 Мбайт
Фаил: