Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7488F6F4-51E9-44F5-98CA-270253891B3B.zip [ 120 KB ]
material.view.file_icon Лабораторная работа №1.doc [ 234 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Дополнительная информация

"Зачет"

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Lanisto : 17 марта 2015
120 руб.

Другие работы

Организация и технология работы с документами в муниципальном дошкольном образовательном учреждении
Содержание Организация и технология работы с документами в муниципальном дошкольном образовательном учреждении. Введение…………………………………………………………………………...2 1 глава Структура, функции и регламентация деятельности дошкольного образовательного учреждения в РФ. 1.1 Современное состояние и перспективы развития дошкольного образования в РФ………………………………………………………………………6 1.2 Нормативно-правовое обеспечение деятельности дошкольного образования……………………………………………………………………………..14 2 глава Организация и технол
Работа Курсовая Документоведение и делопроизводство
User GnobYTEL : 24 августа 2012
20 руб.
Трассировка в коммутационном блоке на основе генетических процедур
Ввиду грандиозной сложности трассировка СБИС разбивается на два этапа: глобальная и детальная. При глобальной трассировке решается две задачи: разбиение коммутационного поля на области и распределение соединений по областям. Детальная трассировка заключается в проектировании топологии соединений внутри областей. Традиционно коммутационное поле разбивается на два типа областей: канал и коммутационный блок (switch box). В классической постановке коммутационный блок - это прямоугольная область на
Информатика Работа
User DocentMark : 28 октября 2012
5 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Техника мультисервисных сетей». Вариант №20.
Задание 1 Между двумя цифровыми ГТС М потоков Е1, в которых занято N со-единительных линии. Определите количество (М) потоков Е1, которое требу-ется для передачи данных между ГТС, приведите рисунок и подробное описа-ние цикла последнего Е1. Приведите технические параметры оптического мультиплексора, осуществляющего передачу потоков Е1 между ГТС. Вариант: 20 Количество соединительных линий: 369 Оптический мультиплексор: ГМ-1Gx Задание 2 Определить среднее значение величины битовой скорости в ло
ДО СИБГУТИ Техника мультисервисных сетей Работа Контрольная
User teacher-sib : 30 августа 2023
800 руб.
promo
Системы принятия решения и оптимизации в ЭТ Excel, конструирование баз данных в СУБД Access
Задание 1 Краткие сведения о системах принятия решений (экспертных системах) В настоящее время широко используются системы искусственного интеллекта, имитирующие на компьютере мышление человека. Чтобы воспроизвести на компьютере процесс принятия решения человеком, нужно предварительно отобрать все факты, относящиеся к исследуемой человеком области, и сформулировать правила вывода в зависимости от совокупности фактов. Система искусственного интеллекта, созданная для решения задачи в конкретной об
Информатика СЗГЗТУ Работа Курсовая
User RUSFront : 17 июня 2013
200 руб.
up Наверх