Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 9006E57D-0DB6-4EF3-9964-79A87D7E087B.doc [ 507 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.

Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи из таблицы П.1.2 приложения 1.

Дополнительная информация

"Отлично" оценка

Похожие материалы

Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User xtrail : 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
Приложены файлы для построения графиков ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗА
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User ДО Сибгути : 26 января 2013
40 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
******* Не известно Электроника физическая Работа Контрольная
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант доц. Савиных В. Л. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
Коммуникац.оборудование, системы и сети Работа Контрольная
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
******* Не известно Электроника Работа Контрольная
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3 Энергия примесных уров
БашГУ Электроника физическая Работа Контрольная
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19 Вопрос 1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и регистра 0,4 Ома.На ВАХ диода построить нагрузочную прямую Uвх=1,2 В. Определить ток, падения напряжения на диоде и нагрузке Т=20С Вопрос 2. Для двух точек( одна на прямой ветви ВАХ при Iпр=2,5 А, другая на обратной Uобр=100 В) определить сопротивление по постоянному току Т=60С. Вопрос 3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если Uст=47 В, Iст min =5 мА, Rн=47
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Twinki : 13 октября 2016
300 руб.
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс

Другие работы

Разработка механического участка обработки фланца. Чертеж шпинделя
Разработка механического участка обработки фланца. Чертеж шпинделя
Станки и инструменты Чертежи
User wolfire : 15 мая 2012
Управление сетями связи, Зачет, 25 билет
1 Функциональная архитектура (модель) TMN 2 Платформенная реализация системы управления. Основные функции отдельных компонент платформ 3 Задача Определить из приведенного сообщения: 1 Версию протокола сетевого уровня 2 Приоритет сетевого уровня для данной дейтаграммы 3 Протокол транспортного уровня (Dec’код и название) 4 Сетевой адрес назначения 5 Транспортный порт отправителя 6 Транспортный порт получателя 7 Тип и класс тэга протокола прикладного уровня 8 Длину сообщения протокола прикладного у
СибГУТИ Управление сетями связи Работа Зачетная
User Decoy2k : 8 мая 2015
135 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине Основы теории цепей. 8-й ВАРИАНТ
Задание 1 1. Рассчитать схему методом наложения. 2. Составить систему уравнений по методу законов Кирхгофа. 3. Рассчитать схему методом узловых напряжений. 4. Проверить баланс мощности. Исходные данные: 8 вариант E1 В 80 E2 В 80 J мА 10 R1 кОм 6 R2 кОм 3 R3 кОм 4 R4 кОм 3 R5 кОм 2
Основы теории цепей СибГУТИ Работа Контрольная
User Bbespehn : 19 июня 2020
500 руб.
Электромагнитная совместимость систем радиосвязи, Вариант №4
1. Произвести проверку защитного отношения в точке приема для системы аналогового наземного ТВ вещания при указанных параметрах электромагнитной обстановки. 2.C использованием исходных данных, материалов электронного учебника, определяем канал проникновения помехи и определяем требуемое защитное отношение. 3. Определяем уровень напряженности поля помехи (ЕП, дБмкВ/м) в точке приема (в той же точке, что и для полезного сигнала). 4. Защитное отношение не выполняется.....
******* Не известно Работа Контрольная Сети связи
User Zarate3040 : 16 декабря 2014
190 руб.
Электромагнитная совместимость систем радиосвязи, Вариант №4
up Наверх