Разработка интегрального устройства. Вариант 00
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
27.01.2013
-
Размер:
268 KB
-
Покупок:
9
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
778F5CD4-BC38-4BD5-8E05-3B443D5A7A5F.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
4.2.Разработка топологии…………….…………………………………..13
4.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы……...………………………………..………14
Заключение……………………………………………………...………………..15
Список используемой литературы……………………………………………...16
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 10.
3. Входное сопротивление Rвх = 10 Мом.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – симметричный
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
4.2.Разработка топологии…………….…………………………………..13
4.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы……...………………………………..………14
Заключение……………………………………………………...………………..15
Список используемой литературы……………………………………………...16
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 10.
3. Входное сопротивление Rвх = 10 Мом.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – симметричный
Дополнительная информация
Оценка - "Отлично"
Похожие материалы
Разработка интегрального устройства
KPanda
: 5 декабря 2019
Вариант №2
Техническое задание:
1. Напряжение источника питания Uп = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, ти
KPanda
: 5 декабря 2019
1000 руб.
Электроника. Разработка интегрального устройства
7059520
: 10 марта 2015
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
7059520
: 10 марта 2015
50 руб.
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Виктория30
: 30 ноября 2022
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
Виктория30
: 30 ноября 2022
250 руб.
"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
b1nom
: 14 января 2018
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Т
b1nom
: 14 января 2018
700 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №26
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение………………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
xtrail
: 17 марта 2013
250 руб.
Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 37.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 4
стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структу
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Другие работы
Разработка навесного фрезерного рабочего оборудования на базе трактора МТЗ-80
DocentMark
: 13 января 2012
От сложности дорожной сети и ее качества зависит эффективность ис-пользования автомобильного транспорта и безопасность дорожного движения.
Рост объемов дорожно-строительных работ требует не только даль-нейшего укрепления производственной мощности дорожно-строительных организаций, но и полного рационального использования техники, суще-ственного улучшения организации и технологии строительства.
Работы по строительству автомобильных дорог можно разделить на подготовительные, строительно-монтажные,
DocentMark
: 13 января 2012
650 руб.
Siemens и Россия
Aronitue9
: 16 ноября 2012
Немногие знают, что первой лампочкой в Москве была немецкая. Питала ее током первая городская электростанция, построенная в 1888 году фирмой "Сименс-Гальске", первый трамвай был пущен благодаря немецким электродвигателям, сконструированным и произведенным на заводах Сименса в России. Именно Сименс участвовал в тендере на прокладку первого в России метро.
Вообще говоря, почти все нынешние "главные лица" немецкой экономики - "Сименс", "Байер", "Крупп", "Тиссен", "Даймлер-Бенц" и другие - деятельно
Aronitue9
: 16 ноября 2012
19 руб.
УПРАВЛЕНИЕ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫМИ СЕТЯМИ. Лабораторная работа № 1 Изучение принципов построения автоматически коммутируемой оптической транспортной сети ASTN/ASON
shkyworker
: 12 октября 2015
Содержание
1. Цель лабораторной работы 3
2. Выполнение работы 3
3. Анализ развития услуг электросвязи и транспортных сетей 4
3.1 Развитие и совершенствование услуг связи 4
3.2 Развитие транспортных сетей связи 4
3.3 Международная стандартизация сетей связи 5
4. Принципы построения ASTN/ASON 6
4.1 Общая архитектура ASON 6
4.2 Построение транспортной сети ASON 6
4.3 Построение сигнальной сети ASON 7
4.4 Построение сети управления ASON 7
4.5 Интерфейсы ASON 8
5. Итоговый тест 8
Список использованны
shkyworker
: 12 октября 2015
100 руб.
Доходы и расходы для целей налогообложения прибыли
Slolka
: 30 декабря 2014
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
ДОХОДЫ, ПРИЗНАВАЕМЫЕ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ НАЛОГООБЛОЖЕНИЯ ПРИБЫЛИ 4
Доходы от реализации 4
Внереализационные доходы 5
РАСХОДЫ, ПРИЗНАВАЕМЫЕ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ НАЛОГООБЛОЖЕНИЯ ПРИБЫЛИ 9
Группировка расходов 9
Расходы, связанные с производством и реализацией 11
Внереализационные расходы 21
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 26
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 27
ВВЕДЕНИЕ
Одним из главных принципов рыночной экономики является рентабельность предприятия. Конечным финансовым результатом работы предприятия явля
Slolka
: 30 декабря 2014
10 руб.
