Основные требования к полупроводниковым материалам

К полупроводникам относят большую группу веществ. По своему удельному электрическому сопротивлению они занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Диапазон удельного сопротивления при комнатной температуре условно ограничивают значениями 10-4 и 1010 Ом.см. Отличительными свойствами полупроводников является сильная зависимость их удельного электрического сопротивления от концентрации примесей. У большинства полупроводников удельное сопротивление зависит также от температуры и других внешних энергетических воздействий (свет, электрическое и магнитное поле, ионизирующее излучение и т. д.).
На основе полупроводниковых материалов создано много разнообразных полупроводниковых приборов. Свойства, параметры и характеристики этих приборов в значительной степени определяются свойствами и параметрами исходного полупроводникового материала. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов (выпрямительные диоды, стабилитроны, варикапы, биполярные транзисторы, тиристоры и т. д.) основан на использовании свойств выпрямляющего перехода, в качестве которого обычно служит электронно-дырочный переход. Поэтому такие приборы будут работоспособны только при температуре, соответствующей примесной электропроводности. Появление собственной электропроводности при высокой температуре нарушает нормальную работу прибора. Максимальная допустимая температура полупроводникового прибора, в первую очередь, определяется шириной запрещенной зоны исходного полупроводникового материала. Таким образом, использование материала с большой шириной запрещенной зоны позволит увеличить максимальную допустимую температуру прибора. Кроме того, приборы на основе широкозонного полупроводникового материала будут способны работать с большей допустимой удельной мощностью рассеяния, т. е. При нормальных условиях работы могут быть уменьшены габариты прибора или габариты теплоотводящих радиаторов.