Технология структур кремния на изоляторе

Введение

1. Преимущества технологии КНИ

2. Конструктивное исполнение структур КНИ

3. Технологии создания структур КНИ

3.1 Ионное внедрение

3.2 Сращивание пластин

3.3 Управляемый скол

3.4 Эпитаксия

4. Технологический маршрут и операции получения структур КНИ методом управляемого скалывания

5. Использование технологии КНИ в технике

6. Перспективы

Список литературы





Введение

Структура КНИ представляет собой технологию изготовления полупроводниковых приборов, основанной на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин.

Развитие технологий производства структур "кремний на изоляторе" (КНИ) в условиях чистых производственных помещений и лабораторий необходимо для:

1) создания новой элементной базы микроэлектроники (предназначенной для производства интегральных схем с наилучшими эксплуатационными параметрами и радиационно стойких ИС);