Физика. Задачи 1.4.,2.4.,3.4.,

ID: 148953
Дата закачки: 12 Января 2015
Продавец: anderwerty (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Задачи
Форматы файлов: Microsoft Word

Описание:
1.4. Найдите контактную разность потенциалов при Т =330 К. Удельное сопротивление  - области германиевого pn перехода p = 3 Омсм, а удельное сопротивление n - области n = 2 Омсм. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,51013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/ВС соответственно.
2.4. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый pn переход имеет обратный ток насыщения I0 = 4 мкА, а кремневый - I0 = 10-8 А. Причем через каждый диод протекает ток 100 мА.
3.4. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=5 В равна С1 = 50 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 В. Собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,51016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси Nд = 21020 м-3.
4.4. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 500С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,25 мА.
5.4. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы 0,125А и напряжением коллектора 10В.
6.4. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =75 мА, сопротивление нагрузки RH =5 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.4. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора  =0,96 и обратный ток коллекторного перехода IКБО = 9 мкА.
8.4. Предельная частота тока эмиттора в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц, а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах h21БО = = - 0,99. Определите модуль коэффициента передачи тока эмиттера на частоте 25 МГц.
9.4. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его h - параметров: h11 = 40 кОм; h12 = 0,004; h21 = 40; h22 =4 10-4Ом-1.
10.4. Привести схематическое обозначение транзистора КТ348Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 8 В, эмиттер 5 В, база 3 В. Ответ поясните.
11.4. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2В, 10 В.
12.4. Полевый транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 400 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.14. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2 В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.4. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока Ic max = =1 мА напряжение отсечки Uотс = 6 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе при обратном напряжении смещения затвор- исток равном Uзи = 2 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.4. Объясните почему с увеличением концентрации акцепторной примеси в р-области электронно-дырочного перехода уменьшается его толщина.
16.4. Объясните почему с увеличением температуры биполярного транзистора возрастает коэффициент передачи тока базы.
17.4. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом р-типа наблюдается увеличение напряжения насыщения.
18.4. Объясните почему МДП транзисторы с индуцированным каналом n-типа не используются при отрицательных значениях напряжения затвор-исток.

Комментарии: 2014 г

Размер файла: 2 Мбайт
Фаил: