Физика. Задачи 1.4.,2.4.,3.4.,
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1.4. Найдите контактную разность потенциалов при Т =330 К. Удельное сопротивление - области германиевого pn перехода p = 3 Омсм, а удельное сопротивление n - области n = 2 Омсм. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,51013 см-3, 0,12 и 0,05 м2/ВС соответственно.
2.4. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый pn переход имеет обратный ток насыщения I0 = 4 мкА, а кремневый - I0 = 10-8 А. Причем через каждый диод протекает ток 100 мА.
3.4. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=5 В равна С1 = 50 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 В. Собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,51016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси Nд = 21020 м-3.
4.4. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 500С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,25 мА.
5.4. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы 0,125А и напряжением коллектора 10В.
6.4. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =75 мА, сопротивление нагрузки RH =5 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.4. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора =0,96 и обратный ток коллекторного перехода IКБО = 9 мкА.
8.4. Предельная частота тока эмиттора в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц, а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах h21БО = = - 0,99. Определите модуль коэффициента передачи тока эмиттера на частоте 25 МГц.
9.4. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его h - параметров: h11 = 40 кОм; h12 = 0,004; h21 = 40; h22 =4 10-4Ом-1.
10.4. Привести схематическое обозначение транзистора КТ348Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 8 В, эмиттер 5 В, база 3 В. Ответ поясните.
11.4. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2В, 10 В.
12.4. Полевый транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 400 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.14. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2 В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.4. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока Ic max = =1 мА напряжение отсечки Uотс = 6 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе при обратном напряжении смещения затвор- исток равном Uзи = 2 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.4. Объясните почему с увеличением концентрации акцепторной примеси в р-области электронно-дырочного перехода уменьшается его толщина.
16.4. Объясните почему с увеличением температуры биполярного транзистора возрастает коэффициент передачи тока базы.
17.4. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом р-типа наблюдается увеличение напряжения насыщения.
18.4. Объясните почему МДП транзисторы с индуцированным каналом n-типа не используются при отрицательных значениях напряжения затвор-исток.
2.4. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый pn переход имеет обратный ток насыщения I0 = 4 мкА, а кремневый - I0 = 10-8 А. Причем через каждый диод протекает ток 100 мА.
3.4. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 200С и обратном напряжении U1=5 В равна С1 = 50 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении U2=10 В. Собственная концентрация носителей заряда в кремнии ni = =1,51016 м-3, концентрация акцепторной примеси Nа =1020 м-3, концентрация донорной примеси Nд = 21020 м-3.
4.4. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 500С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,25 мА.
5.4. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы 0,125А и напряжением коллектора 10В.
6.4. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =20 В, ток базы IБ =75 мА, сопротивление нагрузки RH =5 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
7.4. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора =0,96 и обратный ток коллекторного перехода IКБО = 9 мкА.
8.4. Предельная частота тока эмиттора в схеме транзистора с общей базой fh21Б = 5 МГц, а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах h21БО = = - 0,99. Определите модуль коэффициента передачи тока эмиттера на частоте 25 МГц.
9.4. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его h - параметров: h11 = 40 кОм; h12 = 0,004; h21 = 40; h22 =4 10-4Ом-1.
10.4. Привести схематическое обозначение транзистора КТ348Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 8 В, эмиттер 5 В, база 3 В. Ответ поясните.
11.4. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2В, 10 В.
12.4. Полевый транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток UЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки RH = 400 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.
13.14. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -2 В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.
14.4. Полевый транзистор с управляющим p-n переходом ток стока Ic max = =1 мА напряжение отсечки Uотс = 6 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе при обратном напряжении смещения затвор- исток равном Uзи = 2 В и чему равна крутизна в этом случае.
15.4. Объясните почему с увеличением концентрации акцепторной примеси в р-области электронно-дырочного перехода уменьшается его толщина.
16.4. Объясните почему с увеличением температуры биполярного транзистора возрастает коэффициент передачи тока базы.
17.4. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом р-типа наблюдается увеличение напряжения насыщения.
18.4. Объясните почему МДП транзисторы с индуцированным каналом n-типа не используются при отрицательных значениях напряжения затвор-исток.
Дополнительная информация
2014 г
Похожие материалы
Задача №1 по физике
anderwerty
: 23 ноября 2014
Между пластинами на расстоянии (-это не -расстояние между пластинами) плоского воздушного конденсатора установилась напряженность электрического поля конденсатора .
1. Определить напряжение , приложенное к выводам пластин конденсатора
2. Определить величину единичного заряда , на который в поле конденсатора действует сила .
3. Определить емкость конденсаторов ?
120 руб.
Физика. Задача 1 и 2
anderwerty
: 11 января 2015
1. Найти концентрацию электронов и дырок в кремнии с концентрацией донорных примесей при температуре .
2. Ток дрейфа неосновных носителей заряда в образце примесного полупроводника при увеличении температуры от минус 100С до 250С возрос в 5.5 раза. Найти ширину запрещенной зоны полу проводника, если подвижности носителей заряда от температуры не зависят.
20 руб.
Задача №1 по физике (механика)
anderwerty
: 28 октября 2014
1.1. После выстрела горизонтальная скорость полёта стрелы стала меняться по закону v(t) =v0 exp(-t/τ), где v0 = 30м/c , τ = 5c. Найти максимальное ускорение стрелы. Определить зависимость ускорения от скорости и построить соответствующий график а(v).
10 руб.
Задача №1 по физике. Вариант №3
Lesovik
: 28 декабря 2014
Для электрической цепи, схема которой изображена на рис. 1.1 – 1.50, по заданным в табл. 1 сопротивлениям и э. д. с. выполнить следующее:
1) составить систему уравнений, необходимых для определения токов по первому и второму законам Кирхгофа;
2) найти все токи, пользуясь методом контурных токов;
3) проверить правильность решения, применив метод узлового напряжения. Предварительно упростить схему, заменив треугольник сопротивлений R4, R5 и R6 эквивалентной звездой. Начертить расчетную схему с
100 руб.
Задача по физике №1
ilya01071980
: 16 июня 2016
1. Материальная точка движется прямолинейно. Уравнение движения имеет вид x = 2t+0.04t2 (расстояние – в метрах, время – в секундах). Найти скорость и ускорение точки в момент времени t1 = 0 и t2 = 5 с. Каковы средние значения скорости и ускорения за первые 5 с движения?
25 руб.
Физика. Задача № 2505-1
Григорий12
: 21 мая 2014
1. В одном баллоне объёмом 15 л находится газ под давлением 200 кПа, а в другом – тот же газ под давлением 1000 кПа. Баллоны, температура которых одинакова, соединены трубкой с краном. Если кран открыт, в баллонах устанавливается давление 400 кПа [атмосферы]. Определить объём второго баллона.
80 руб.
Задачи по физике. 1-й курс
СибирскийГУТИ
: 7 сентября 2013
Тема No1.
1. Автомобиль проходит последовательно два одинаковых участка пути, каждый по 10 м с постоянным ускорением, причем первый участок пути пройден автомобилем за 1 с, а второй – за 2 с. С каким ускорением движется автомобиль и какова его скорость в начале первого участка?
Дано: S1 = S2 = 10 м, t1 = 1 c, t2 = 2 c, a = const.
Найти: а – ?, v0 – ?.
2. Трамвай, начав двигаться равноускоренно по закругленному участку пути и пройдя 100 м, развил скорость 36 км/ч. Каковы тангенциальное и нормаль
200 руб.
Задача 1, задача 2. Вариант 1
Laguz
: 7 февраля 2025
Задача №1. Определить кратчайшее расстояние между скрещивающимися прямыми AS и ВС.
Задача №2. Определить натуральную величину треугольника АВС и
кратчайшее расстояние от точки S до плоскости треугольника АВС (плоскости Q).
чертеж в компасе 16 + дополнительно сохранен в джпг
Файлы компаса можно просматривать и сохранять в нужный формат бесплатной программой КОМПАС-3D Viewer.
Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
120 руб.
Другие работы
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 1 Вариант 0
Z24
: 11 октября 2025
Стенка холодильника, состоящая из наружного слоя изоляционного кирпича толщиной δ1=250 мм и внутреннего слоя совелита толщиной δ2=200 мм, имеет температуру наружной поверхности tст1 и внутренней tст3. Коэффициенты теплопроводности материала слое соответственно равны λ1=0,24 Вт/(м·К) и λ2=0,09 Вт/(м·К). Определить плотность теплового потока через стенку и температурные градиенты в отдельных слоях. Представить график распределения температуры по толщине стенки.
150 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине «Информатика и программирование (часть 2)». Посл. цифры пароля: 01. Вариант: 02.
teacher-sib
: 19 сентября 2020
Лабораторная работа No1
Тема: Сложная обработка массивов.
Цель: изучение алгоритмов организации и сложной обработки одномерных и двумерных массивов на языке С++.
Задание:
1. Самостоятельно изучить возможности языка программирования C++ для сложной обработки одномерных и двумерных массивов.
2. В соответствии с индивидуальным заданием (табл. 1.1) создать консольное приложение, в котором реализовать следующие вычисления:
объявление заданного массива целых чисел фиксированной длины;
инициализац
800 руб.
Методы и средства защиты компьютерной информации. Лабораторная работа №2
wchg
: 16 августа 2013
Задание:
Пусть источник без памяти порождает буквы из алфавита {0, 1, 2, ..., 9} с вероятностями 0.4, 0.2, 0.1, 0.05, 0.05, 0.05, 0.05, 0.04, 0.03, 0.03 соответственно. Пусть используется шифр Цезаря
e = (m + k) mod 10
с ключом k, выбираемым равновероятно из этого же алфавита.
Написать программу, которая
1) вычисляет расстояние единственности для этого шифра;
2) для введенного зашифрованного сообщения (например, 3462538) вычисляет апостериорные вероятности использования различных ключей.
79 руб.
Система разработки горно-геологического пласта
evelin
: 5 января 2014
Краткая горно-геологическая характеристика пласта.
К разработке принята бремсберговая часть пласта, мощностью 1,3-1,7м. Залегание пологое, угол падения составляет 50. Коэффициент крепости угля по шкале Протодьяконова М.М. равен 1,05. Сопротивляемость угля резанию 210 кН/м, объемный вес угля γу=1,1 т/м3. Метанообильность пласта 5м3/т. Предварительная дегазация пласта не требуется. Пласт не склонный к самовозгоранию и газодинамическим явлениям, геологические нарушения отсутствуют.
Кровля трудноу
15 руб.