Экзаменационная работа. Электротехника и электротехника. Часть 1. Курс 2. Вариант 7. ДО СибГУТИ

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Ответ на вопрос №1:
Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.

При работе транзисторов в качестве усилительных элементов в их выходную цепь включают нагрузку, а во входную – источник сигнала.
Самые лучшие усилительные свойства имеют транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером (рис. 1, а) .............
...............
В случае биполярного транзистора любому напряжению на входе соответствует определенный ток базы, которому, в свою очередь, соответствует определенный выходной ток коллектора и выходное напряжение «коллектор-эмиттер». Например, если до подачи напряжения сигнала U_c ко входу транзистора прикладывается постоянное напряжение U_бэ0, то во входной цепи будет протекать постоянный ток базы I_B. В этом случае через транзистор будет протекать выходной ток I_к0, а на выходе транзистора будет напряжение U_к0..............
................

Ответ на вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.

Рис. 4.
Усилитель, используемый в схеме на рис. 4, позволяет вырабатывать как втекающий, так и вытекающий выходной ток. В этой микросхеме для повышения быстродействия применяются транзисторы и диоды Шоттки (диод Шоттки – полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении).
Транзистор «VT1» инвертирует сигнал на выходе элемента «И», т. е. вместо логической «1» на выходе присутствует логический «0», и наоборот, вместо логического нуля на выходе присутствует логическая единица, а схема в целом реализует
........................

Ответ на вопрос №3:
Схема усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. (рис. 10).

Рис. 10.
Выходные вольтамперные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом (рис. 11).
.............

Получение режима короткого замыкания состоит в том, что исследуемую цепь шунтируют сопротивлением, значительно меньшим внутреннего сопротивления соответствующей цепи. Учитывая необходимость обеспечения питания электродов транзистора постоянным напряжением, такое шунтирование можно производить емкостью.
Режим короткого замыкания (при определении параметров Y_11 и Y_21) легко осуществить в цепи коллектора (выходной), т.к. выходное сопротивление транзистора велико. Выполнить режим короткого замыкания входной цепи (при определении параметров Y_12 и Y_22) затруднительно, особенно в области низких частот. Это ограничивает применение Y – параметров для описания свойств транзистора.
.......................

Проверил: Игнатов А.Н., Оценка: "Зачет". Без замечаний!