Схемотехника телекоммуникационных устройств/ часть 1

ID: 194567
Дата закачки: 06 Сентября 2018
Продавец: Hawk2015 (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Задача №1
Исходные данные
Марка транзистора: КТ315А
Амплитуда сигнала на нагрузке: UmH = 1,2 В
Относительный коэффициент усиления на верхней рабочей частоте fВ: YВ = 0,95 раз
Относительный коэффициент усиления на нижней рабочей частоте fН: YН = 0,8 раз
Емкость нагрузки: СН = 20 пФ
Сопротивление нагрузки: RН = 100 кОм
Верхняя рабочая частота: fВ = 3 МГц
Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц
Внутреннее сопротивление источника сигнала: RИСТ = 100 Ом

Параметры транзистора КТ315А
Коэффициент усиления по току: h21ЭМИН = 30, h21ЭМАКС = 120
Сопротивление базового слоя: rББ = 40 Ом;
Напряжение на коллекторе: uК.МАКС = 20 В;
Мощность, рассеиваемая на коллекторе: РК.МАКС = 150 мВт;
Частота единичного усиления: fT = 270 МГц;
Ёмкость коллекторного перехода: CК = 7 пФ;
Структура транзистора: n-p-n.

Задача №2
Исходные данные
Коэффициент усиления ОУ: КОУ = раз;
Максимальный выходной ток: IВЫХ.МАКС = А;
Максимальная амплитуда выходного сигнала: u+ВЫХ = 8 В;
Частота единичного усиления: f1 = 10 МГц;
Выходное сопротивление: RВЫХ.ОУ = 100 Ом;
Расчетный коэффициент усиления: КОУ.ОС = 150 раз;
Сопротивление источника сигнала: RИСТ = 250 Ом;
Сопротивление СР.ВХ пренебрежимо мало;
RН >> RВЫХ.ОУ

Комментарии: Год сдачи 2015 г. СибГУТИ оценка хорошо.

Размер файла: 162,9 Кбайт
Фаил: