Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

170

Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4

ID: 205931
Дата закачки: 11 Января 2020
Продавец: SibGUTI (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант №4

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”

1.1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и пере-ходные характеристики).

1.2. Подготовка к работе
1.2.1. Изучить следующие вопросы курса:
- цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления;
- свойства и особенности каскадов предварительного усиления;
- назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада;
- амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) резисторного каскада;
- переходные характеристики резисторного каскада;
- эквивалентные схемы и линейные искажения в резисторном каскаде; расчетные соотношения для резисторного каскада.
1.2.2. Для заданной схемы, в соответствии с исходными данными, указанными в таблице 1, рассчитать следующие параметры усилителя:
- коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиле-ния каскада;
- коэффициент частотных искажений каскада на частоте 100Гц, обуслов-ленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопро-тивления в цепи коллектора R4;
- коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100кГц, обусловлен-ной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами.
- время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада:
- относительный спад плоской вершины прямоугольного импульса боль-шой длительности (tи = 5000мкс) вследствие влияния разделительных емкостей.
Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА.
Варианты значений входной (С1) и выходной (С2) разделительной емко-сти, а также емкости нагрузки С3, указанные в таблице 1, выбираются по по-следней цифре пароля.

Таблица 1 – Варианты значений емкостей
№ 4
С1, мкФ 3
С2, мкФ 4.0
С3, пФ 500
С5, мкФ 400

1.4 Задание для исследования
Для данного усилительного каскада представляет интерес решение трех основных задач:
1. Исследование амплитудно-частотных (ЛАЧХ) характеристик усилителя с целю исследования влияния реактивных элементов:
- без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (при включении большой емкости в цепь эмиттера) при номинальных значениях компонентов;
-  без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току при уменьшении Ср2 и увеличении Сн (примерно в 2 раза);
- с частотно-независимой обратной связью (без подключения емко-стей в цепи эмиттера транзистора);
- с частотно-зависимой обратной связью (при включении малой емкости эмиттера, на несколько порядков меньше номинальной (например, Сэ = 4нФ), являющейся элементом высокочастотной коррекции).
В отчете необходимо привести (либо качественно, либо с применением программ компьютерного моделирования) все четыре АЧХ, изображенные для сравнения на одном графике. Отметить, как изменился коэффициент усиления на средних частотах К(fср) и как изменились граничные частоты при допустимых частотных искажениях Мн = Мв = 1,41. Объяснить результаты экспериментов.
2. Исследовать переходную характеристику каскада в области малых времен (tи = 5 мкс).
Объяснить причины и механизм возникновения переходных искажений импульсов малой длительности. Какие элементы схемы вносят эти иска-жения?
В отчете необходимо привести (либо качественно, либо с применением программ компьютерного моделирования) переходные характеристики для следующих вариантов:
- без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (при включении большой емкости в цепь эмиттера) при номинальных значениях элементов схемы (указанных в таблице 1);
- без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току при увеличении Сн (примерно в 2 раза);
- с частотно-зависимой обратной связью (при включении малой ем-кости эмиттера, на несколько порядков меньше номинальной (например, Сэ = 4нФ), являющейся элементом высокочастотной коррекции) при номинальных значениях элементов схемы (указанных в таблице 1)..
Все три переходные характеристики необходимо для сравнения изобразить на одном графике. Отметить, как изменилась амплитуда импульса и показать, как изменилось время установления импульса. Объяснить результаты экспериментов.
Под временем установления (tуст), характеризующего длительность (кру-тизну) переднего фронта, понимается интервал времени, за напряжение возрастет от уровня 0.1Uуст, до на уровня 0.9Uуст, где Uуст – установившееся значение, под которым понимается значение напряжения в конце импульса.

3. Исследовать переходную характеристику каскада в области больших времен (tи = 2 мс = 2000 мкс).
Объяснить причины и механизм возникновения переходных искажений импульсов малой длительности. Какие элементы схемы вносят эти иска-жения?
В отчете необходимо изобразить (либо качественно, либо с применением программ компьютерного моделирования) переходные характеристики для следующих вариантов:
- без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (при включении большой емкости в цепь эмиттера) при номи-нальных значениях компонентов;
- без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току при уменьшении Ср2 (примерно в 2 раза);
- при частотно-независимой обратной связи (при отключении Сэ) при номинальных значениях элементов схемы (указанных в таблице 1)..
Все три переходные характеристики необходимо для сравнения изобразить на одном графике. Отметить, как изменилась амплитуда импульса и показать, как изменился относительный спад вершины импульса. Объяснить результаты экспериментов.
Под относительным спадом понимается отношение изменения напряжения за время длительности импульса к начальному размаху напряжения.



Комментарии: Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка: Зачет
Дата оценки: 11.01.2020
Рецензия: Уважаемый .......................................,

Архипов Сергей Николаевич

Размер файла: 290,5 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.rar)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

   Скачать

   Добавить в корзину


    Скачано: 8         Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Лабораторная работа №3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). Вариант общий
2020 г. Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторные работы №1-3. Вариант 2
Лабораторные работы №№1-2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант №1
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Вариант №2
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Тема: «Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе». Вариант №8
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант 0
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №1
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Схемотехника телекоммуникационных устройств / Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4
Вход в аккаунт:
Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
UnionPay СБР Ю-Money qiwi Payeer Крипто-валюты Крипто-валюты


И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!