Вакуумное напыление

Содержание

Введение
1.Термическое вакуумное напыление
1.1 Резистивное напыление
1.2 Индукционное напыление
1.3 Электронно-лучевое напыление
1.4 Лазерное напыление
1.5 Электродуговое напыление
2. Распыление ионной бомбардировкой
2.1 Катодное распыление
2.2 Магнетронное распыление
2.3 Высокочастотное распыление.
2.4 Плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде
3. Технология тонких пленок на ориентирующих подложках
3.1 Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок
3.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия
Заключение

Тонкие пленки, наносимые в вакууме, широко применяются в производстве дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС).
Получение высококачественных и воспроизводимых по электрофизическим параметрам тонкопленочных слоев является одним из важнейших технологических процессов формирования структур как дискретных диодов и транзисторов, так и активных и пассивных элементов ИМС.
Таким образом, от совершенства технологических процессов нанесения тонких пленок в значительной степени зависят надежность и качество изделий микроэлектроники, технический уровень и экономические показатели их производства.
Тонкопленочная технология базируется на сложных физико-химических процессах и применении различных металлов и диэлектриков. Так, тонкопленочные резисторы, электроды конденсаторов и межсоединения выполняют осаждением металлических пленок, а межслойную изоляцию и защитные покрытия – диэлектрических.
Важным этапом является контроль параметров тонких пленок (скорости их нанесения, толщины и ее равномерности, поверхностного сопротивления), который проводится с помощью специальных приборов, как при выполнении отдельных технологических операций, так и по завершении всего процесса.
Методы ионно-плазменного и магнетронного напыления находят широкое применение в современной микроэлектронике. Высокие скорости напыления и энергия падающих на подложку атомов в процессе напыления позволяют использовать эти методы для получения пленок различного состава и структуры, и, в частности, для низкотемпературной эпитаксии