Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 360800AF-EE3A-46FE-96A2-388A7BD7D086.docx [ 17 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3

Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4

Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7

Вопрос No 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе.

Вопрос No 46
Дайте правильное определение уровня Ферми.

Вопрос No 51
Что называется вырожденным электронным газом?

Вопрос No 62
Для каких полупроводников справедлив закон действующих масс?

Вопрос No 96
Какие электроны в донорном полупроводнике называются равновесными носителями заряда?

Вопрос No 115
Найдите точные формулы для дрейфовых электронного и дырочного токов.

Вопрос No 124
Как изменяется подвижность электронов в зоне проводимости GaAs в зависимости от энергии?

Вопрос No 154
Какие токи протекают через равновесный p-n переход?

Вопрос No 165
Выделите среди нижеприведенных правильное определение диффузи-онной емкости p-n перехода?

Вопрос No 234
Что такое фототранзистор?

Задача 4.6. Рассчитайте плотность тока электронов, которые находят-ся вблизи дна зоны проводимости в первой долине донорного арсенида галлия с примесью атомов серы в концентрации 2 ́1021 м-3, если полупро-водник находится в электрическом поле напряженностью 1000 В/м.

Дополнительные указания: подвижность электронов mn = 0,831 м2/В×с, температура образца Т=300 К, все примеси при этой температуре ионизи-рованы.

Задача 6.7. Рассчитайте концентрацию неравновесных дырок на ниж-ней грани германиевой пластины толщиной 0,5 мм, если на ее верхней гра-ни (плоскость х=0) создаются избыточные электронно-дырочные пары с концентрацией 8 ́1023 м-3. Коэффициент диффузии дырок Dp=4,4 ́10-3 м2/с, время жизни tp=2,8 ́10-4 с.

Похожие материалы

Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа №3-4 вариант 4
Вариант Номера задач Колебания и волны Оптика 4 504 514 524 534 544 604 614 624 Вариант Номера задач 4 704 714 724 734 744 754 804 824
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User BOND : 25 апреля 2009
90 руб.

Другие работы

Цифровые системы передачи. Лабораторная работа №2. Вариант №14.
Цифровые системы передачи. Лабораторная работа №2. Вариант №14. Принципы построение СП с временным разделением каналов. Цель работы: Изучение принципов построения многоканальных систем передачи с разделением каналов по времени, изучение влияния линейных и нелинейных искажений, возникающих в групповом тракте МСП на межканальные помехи.
СибГУТИ Цифровые сети и системы Работа Лабораторная
User sibgutido : 25 марта 2013
200 руб.
Нанесение размеров. Прокладка Пластина - Вариант 14
Б.Г. Миронов, Р.С. Миронова, Д.А. Пяткина, А.А. Пузиков. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере. Нанесение размеров на чертежах плоских деталей. Прокладка, пластина. Вариант 14 Перечертить прокладку и пластину, определяя размеры по клеткам. Сторона клетки равна 5 мм. Проставить размеры. В состав работы входит: Чертежи; 3D модели. Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User .Инженер. : 6 февраля 2026
150 руб.
Нанесение размеров. Прокладка Пластина - Вариант 14 promo
Подогреватель природного газа ПГ-30-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Подогреватель природного газа ПГ-30-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи
User https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27 : 4 июня 2016
100 руб.
Подогреватель природного газа ПГ-30-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Дополнительные главы математического анализа. ВАРИАНТ №5. Контрольная работа.
Задание на контрольную работу отражено на скриншоте!!! Вариант № 5 1. Найти область сходимости степенного ряда , 2. Разложить функцию в ряд Фурье на данном отрезке (период Т) 3. Начертить область на комплексной плоскости по данным условиям: , , , . 4. Вычислить интеграл по дуге от точки до точки , -прямая, , 5. Найти частное решение дифференциального уравнения с заданными начальными условиями операторным методом
ДО СИБГУТИ Дополнительные главы матем. анализа Работа Контрольная
User 321 : 13 октября 2019
200 руб.
Дополнительные главы математического анализа. ВАРИАНТ №5. Контрольная работа. promo
up Наверх