Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа
-
Добавлен:
15.04.2013
-
Размер:
17 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
dedtalash
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
360800AF-EE3A-46FE-96A2-388A7BD7D086.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3
Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4
Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7
Вопрос No 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе.
Вопрос No 46
Дайте правильное определение уровня Ферми.
Вопрос No 51
Что называется вырожденным электронным газом?
Вопрос No 62
Для каких полупроводников справедлив закон действующих масс?
Вопрос No 96
Какие электроны в донорном полупроводнике называются равновесными носителями заряда?
Вопрос No 115
Найдите точные формулы для дрейфовых электронного и дырочного токов.
Вопрос No 124
Как изменяется подвижность электронов в зоне проводимости GaAs в зависимости от энергии?
Вопрос No 154
Какие токи протекают через равновесный p-n переход?
Вопрос No 165
Выделите среди нижеприведенных правильное определение диффузи-онной емкости p-n перехода?
Вопрос No 234
Что такое фототранзистор?
Задача 4.6. Рассчитайте плотность тока электронов, которые находят-ся вблизи дна зоны проводимости в первой долине донорного арсенида галлия с примесью атомов серы в концентрации 2 ́1021 м-3, если полупро-водник находится в электрическом поле напряженностью 1000 В/м.
Дополнительные указания: подвижность электронов mn = 0,831 м2/В×с, температура образца Т=300 К, все примеси при этой температуре ионизи-рованы.
Задача 6.7. Рассчитайте концентрацию неравновесных дырок на ниж-ней грани германиевой пластины толщиной 0,5 мм, если на ее верхней гра-ни (плоскость х=0) создаются избыточные электронно-дырочные пары с концентрацией 8 ́1023 м-3. Коэффициент диффузии дырок Dp=4,4 ́10-3 м2/с, время жизни tp=2,8 ́10-4 с.
Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4
Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7
Вопрос No 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе.
Вопрос No 46
Дайте правильное определение уровня Ферми.
Вопрос No 51
Что называется вырожденным электронным газом?
Вопрос No 62
Для каких полупроводников справедлив закон действующих масс?
Вопрос No 96
Какие электроны в донорном полупроводнике называются равновесными носителями заряда?
Вопрос No 115
Найдите точные формулы для дрейфовых электронного и дырочного токов.
Вопрос No 124
Как изменяется подвижность электронов в зоне проводимости GaAs в зависимости от энергии?
Вопрос No 154
Какие токи протекают через равновесный p-n переход?
Вопрос No 165
Выделите среди нижеприведенных правильное определение диффузи-онной емкости p-n перехода?
Вопрос No 234
Что такое фототранзистор?
Задача 4.6. Рассчитайте плотность тока электронов, которые находят-ся вблизи дна зоны проводимости в первой долине донорного арсенида галлия с примесью атомов серы в концентрации 2 ́1021 м-3, если полупро-водник находится в электрическом поле напряженностью 1000 В/м.
Дополнительные указания: подвижность электронов mn = 0,831 м2/В×с, температура образца Т=300 К, все примеси при этой температуре ионизи-рованы.
Задача 6.7. Рассчитайте концентрацию неравновесных дырок на ниж-ней грани германиевой пластины толщиной 0,5 мм, если на ее верхней гра-ни (плоскость х=0) создаются избыточные электронно-дырочные пары с концентрацией 8 ́1023 м-3. Коэффициент диффузии дырок Dp=4,4 ́10-3 м2/с, время жизни tp=2,8 ́10-4 с.
Похожие материалы
Физические основы микроэлектроники
Elfa254
: 10 августа 2013
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Elfa254
: 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
freelancer
: 20 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
freelancer
: 20 апреля 2016
80 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
freelancer
: 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
freelancer
: 16 апреля 2016
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влия
freelancer
: 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме.
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос N
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа №3-4 вариант 4
BOND
: 25 апреля 2009
Вариант Номера задач
Колебания и волны Оптика
4 504 514 524 534 544 604 614 624
Вариант Номера задач
4 704 714 724 734 744 754 804 824
BOND
: 25 апреля 2009
90 руб.
Другие работы
Линии чертежа по ГОСТ 2.303-68. Чертеж в Автокаде
Laguz
: 11 августа 2025
4. Компьютерная графика. Задания к лабораторным работам
4.1. Лабораторная работа №1 организация работы пользователя на пэвм в системе AutoCad
Цель работы: Овладение практическими навыками работы на ПЭВМ в графической системе AutoCAD.
Задание
Упражнение 21. Выполнить элементы следующих построений:
наиболее распространенные типы линий чертежа;
проекции предмета как пример применения линий чертежа.
Перенести чертеж в форматную рамку с основной надписью и получить чертеж формата А4 на принтере
Laguz
: 11 августа 2025
150 руб.
Проект модернизации пескоразбрасывателя на базе автомобиля КрАЗ-255
Рики-Тики-Та
: 7 декабря 2021
Содержание.
Введение.
1. Обоснование темы проекта.
1.1. Обзор машин для зимнего содержания дорог.
1.2. Обзор пескоразбрасывателей.
1.3. Постановка задачи проектирования.
2. Выбор основных параметров для расчета.
2.1. Расчет параметров диска.
2.1.1. Определение скорости частицы материала.
2.1.2. Определение ширины посыпки.
2.1.3. Определение производительности.
2.1.4. Определение мощности диска.
2.1.5. Выбор гидромотора.
2.1.6. Выбор насоса.
2.1.7. Выбор диаметра трубы гидролинии.
2.2. Расчет ко
Рики-Тики-Та
: 7 декабря 2021
600 руб.
Справочник по монтажу специальных сооружений
Sypa
: 25 октября 2010
В справочнике приведены сведения по технологии монтажа и сварки,
контролю качества сварных швов стальных резервуаров и газгольдеров, башенно-
мачтовых сооружений, промышленных и гражданских большепролетных
и высотных зданий. Систематизированы данные по специальным монтажным
кранам, кранам общего назначения, вертолетам, тягачам, такелажному
оборудованию, механизированному ручному и слесарно-сборочному инструменту,
основным и вспомогательным материалам и др.
Издание дополнено главами «Мон
Sypa
: 25 октября 2010
Экзамен по Математическому анализу. Билет №15 1 семестр
ramzes14
: 12 января 2012
. Несобственные интегралы: интегралы от разрывных функций.
2. Правило Лопиталя для раскрытия неопределенностей.
3. Найти дифференциал функции , заданной неявно: .
4. Исследовать и построить график функции .
5. Найти интеграл
6. Вычислить интеграл
7. Исследовать сходимость интеграла
8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями и .
ramzes14
: 12 января 2012
70 руб.
