Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 360800AF-EE3A-46FE-96A2-388A7BD7D086.docx [ 17 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3

Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4

Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7

Вопрос No 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе.

Вопрос No 46
Дайте правильное определение уровня Ферми.

Вопрос No 51
Что называется вырожденным электронным газом?

Вопрос No 62
Для каких полупроводников справедлив закон действующих масс?

Вопрос No 96
Какие электроны в донорном полупроводнике называются равновесными носителями заряда?

Вопрос No 115
Найдите точные формулы для дрейфовых электронного и дырочного токов.

Вопрос No 124
Как изменяется подвижность электронов в зоне проводимости GaAs в зависимости от энергии?

Вопрос No 154
Какие токи протекают через равновесный p-n переход?

Вопрос No 165
Выделите среди нижеприведенных правильное определение диффузи-онной емкости p-n перехода?

Вопрос No 234
Что такое фототранзистор?

Задача 4.6. Рассчитайте плотность тока электронов, которые находят-ся вблизи дна зоны проводимости в первой долине донорного арсенида галлия с примесью атомов серы в концентрации 2 ́1021 м-3, если полупро-водник находится в электрическом поле напряженностью 1000 В/м.

Дополнительные указания: подвижность электронов mn = 0,831 м2/В×с, температура образца Т=300 К, все примеси при этой температуре ионизи-рованы.

Задача 6.7. Рассчитайте концентрацию неравновесных дырок на ниж-ней грани германиевой пластины толщиной 0,5 мм, если на ее верхней гра-ни (плоскость х=0) создаются избыточные электронно-дырочные пары с концентрацией 8 ́1023 м-3. Коэффициент диффузии дырок Dp=4,4 ́10-3 м2/с, время жизни tp=2,8 ́10-4 с.

Похожие материалы

Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа №3-4 вариант 4
Вариант Номера задач Колебания и волны Оптика 4 504 514 524 534 544 604 614 624 Вариант Номера задач 4 704 714 724 734 744 754 804 824
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User BOND : 25 апреля 2009
90 руб.

Другие работы

Учет, анализ и аудит дебиторской задолженности
Введение Глава 1. Организация синтетического и аналитического учёта дебиторской задолженности 1.1 Понятие, сущность, виды дебиторской задолженности 1.2 Особенности оценки дебиторской задолженности 1.3 Организация синтетического и аналитического учёта дебиторской и кредиторской задолженности 1.4 Учёт создания и использования резерва по сомнительным долгам Глава 2. Аудит учёта дебиторской задолженности 2.1 Технико-экономическая характеристика предприятия 2.2 Оценка эффективности системы вн
Диплом и связанное с ним Бухгалтерский учет и аудит
User DocentMark : 7 сентября 2013
15 руб.
Философия
1."Материалистами называются философы, которые признают лишь существование материальных вещей и тел" /Вольф Х./ Можно ли согласиться с этим определением? 2. Проанализируйте приведенные ниже высказывания о предмете философии. 3. Английский философ и ученый Бертран Рассел, размышляя над вопросом о специфике философии и ее месте в духовной культуре общества, заметил: "Философия, как я буду понимать это слово, является чем-то промежуточным между теологией и наукой. Подобно теологии, она состоит в сп
ДО СИБГУТИ Философия Работа Контрольная
User cotikbant : 13 сентября 2017
50 руб.
Философия
Основные пути повышения эффективности государственного управления в регионе
Содержание Введение 1. Теоретические аспекты государственного управления в регионе 1.1 Регион как объект государственного управления 1.2 Определение государственной региональной политики и ее аспекты 1.3 Цели и задачи региональной экономической политики 1.4 Методы государственного регулирования экономики региона 2. Анализ государственного управления в регионе на примере Ямало-ненецкого автономного округа 2.1 История становления и развития Ямало-Ненецкого автономного округа 2.2 Анализ местного са
Рефераты Политология
User Elfa254 : 14 сентября 2013
Электроника.Курсовая работа. 17-й вариант
Содержание Введение 3 Техническое задание 4 1. Разработка структурной схемы 5 2. Разработка принципиальной схемы 6 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики 10 4. Разработка интегральной микросхемы 12 Вывод 17 Список литературы 18 Техническое задание Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкас-кадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные выбираем для варианта 17 (табл.1). Таблица 1 № вар.Uпит,В Кu RВХ, Мом RH
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User yana1988 : 17 ноября 2014
60 руб.
up Наверх