Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4ID: 96686Дата закачки: 15 Апреля 2013 Закачал: dedtalash (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ******* Не известно Описание: КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 3 Вариант № 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6 КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 4 Вариант № 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7 Вопрос № 26 Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе. Вопрос № 46 Дайте правильное определение уровня Ферми. Вопрос № 51 Что называется вырожденным электронным газом? Вопрос № 62 Для каких полупроводников справедлив закон действующих масс? Вопрос № 96 Какие электроны в донорном полупроводнике называются равновесными носителями заряда? Вопрос № 115 Найдите точные формулы для дрейфовых электронного и дырочного токов. Вопрос № 124 Как изменяется подвижность электронов в зоне проводимости GaAs в зависимости от энергии? Вопрос № 154 Какие токи протекают через равновесный p-n переход? Вопрос № 165 Выделите среди нижеприведенных правильное определение диффузи-онной емкости p-n перехода? Вопрос № 234 Что такое фототранзистор? Задача 4.6. Рассчитайте плотность тока электронов, которые находят-ся вблизи дна зоны проводимости в первой долине донорного арсенида галлия с примесью атомов серы в концентрации 2´1021 м-3, если полупро-водник находится в электрическом поле напряженностью 1000 В/м. Дополнительные указания: подвижность электронов mn = 0,831 м2/В×с, температура образца Т=300 К, все примеси при этой температуре ионизи-рованы. Задача 6.7. Рассчитайте концентрацию неравновесных дырок на ниж-ней грани германиевой пластины толщиной 0,5 мм, если на ее верхней гра-ни (плоскость х=0) создаются избыточные электронно-дырочные пары с концентрацией 8´1023 м-3. Коэффициент диффузии дырок Dp=4,4´10-3 м2/с, время жизни tp=2,8´10-4 с. Размер файла: 16,8 Кбайт Фаил: 
(.docx)
------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 7 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! |
||||
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника / Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4