Физико-химические основы технологии изделий электроники и наноэлектроники

Курсовая работа. По дисциплине Физико-химические основы технологии изделий электроники и наноэлектроники. Расчёт газотранспортных и диффузионных процессов в технологии электронных приборов. Вариант No2. ЛЭТИ. 2021 ЗАДАНИЕ Часть 1. Химическое осаждение арсенида галлия из газовой фазы в системе GaAs – H2O – H2. Исходные данные: - Температурный интервал Т = (700 .... 1300 ) К - Относительная влажность водорода: 7103.... 101 . - Суммарное давление в системе 5103 Па 1. Рассчитать и пос