Теория связи

Вопрос №1 При увеличении числа уровней квантования дисперсия шума квантования уменьшается, но при этом увеличивается ____ сигнала ИКМ. мощность сигнала ИКМ динамический диапазон ширина спектра Вопрос №2 Импульсная характеристика фильтра, согласованного с сигналом u(t), с точностью до постоянного множителя совпадает с его ____ : спектром амплитудой зеркальным отображением Вопрос №3 Напряжение на выходе квадратичного детектора содержит первую гармонику амплитудой 1 В и вторую гармонику амплитудо

Задача №1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: i= S(u-u0), u>=u0; 0, u<u0, где i - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.

Содержание 1 Задача No 1 4 1.1 Задание и исходные данные 4 1.2 Назначение модуляции несущей и виды модуляции 6 1.3 Схема и принцип работы транзисторного амплитудного модулятора 8 1.4 Расчет СМХ 9 1.5 Расчет оптимального смещения и амплитуды модулирующего напряжения 11 1.6 Спектр и временная диаграмма АМ-сигнала 11 1.7 Детектирование АМ-колебания 13 1.7.1 Назначение детектирования модулированных колебаний. Схема детектора 13 1.7.2 Сопротивление нагрузки детектора 14 1.7.3 Емкость нагрузки 15 1

Задача No 1 Вольтамперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: i_k={█(S(u_б-u_о), при u_б≥u_о@ 0, при u_б<u_о ) где iк – ток коллектора транзистора (мА), S – крутизна характеристики (мА/В), Uб – напряжение на базе транзистора (В), Uо – напряжение отсечки (В), Um – амплитуда входного высокочастотного сигнала (В). Требуется: Объяснить назначение модуляции, несущей и описать различные виды модуляции. Изобразит

Задача №1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением lk= {S(uб-u0), uб>=u0 {0, uб<u0 где ik - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элемен

Задача №1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: i= S(u-u0), u>=u0; 0, u<u0, где i - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.

Задача №1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: i= S(u-u0), u>=u0; 0, u<u0, где i - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.

1 Задача № 1 1.1 Задание и исходные данные Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора аппроксимирована выражением iк= {S(uб-u0), uб>=u0, {0, uб<u0, где iк - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна ВАХ; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1 Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2 Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов. 3 Дать понят

Задача №1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: i= S(u-u0), u>=u0; 0, u<u0, где i - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.

Задача №1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: i= S(u-u0), u>=u0; 0, u<u0, где i - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.