Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 12 Вариант 55
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вычислить дебит артезианской скважины при условии, что мощность водоносного пласта t = (15 + 0,5·y) м; диаметр скважины d = (30 + 0,5·z) см; глубина откачки S = (6 + 1·y) = 10 м; радиус влияния R = (150 + 10·z) м; коэффициент фильтрации k = (10 + 1·y) м/сут (рис. 12).
Другие работы
Технологический процесс механической обработки шатуна (технологический раздел дипломного проекта)
kurs9
: 23 апреля 2021
3. Расчетно-конструкторская часть
3.1. Анализ действующего технологического процесса
При изготовлении детали используются автоматические линии и специальные станки, в связи с постепенным уменьшением объемов производства использование автоматических линий не целесообразно, и при данных условиях производства возможна замена автоматических линий на станки с ЧПУ и обрабатывающие центры.
3.2. Проектирование варианта технологического процесса. Выбор оборудования, оснастки, режущего инструмента
Таблица
999 руб.
Гибкие оптические сети (часть 2-я). Билет №9
IT-STUDHELP
: 6 февраля 2022
Билет 9
Задача (ПК-2)
Составить схему оптического коммутатора волокон, в которой каждое из 8
входящих волокна должны иметь возможность подключаться к одному из 8
выходящих волокон при их общем количестве 32 по четырём направлениям.
400 руб.
Математическое моделирование потребностей регионов в педагогических кадрах
Lokard
: 12 августа 2013
Потребность некоторого региона в педагогических кадрах зависит от сочетания различных факторов демографического и социально-экономического характера. Эти факторы подвержены изменениям, которые влияют на количество учителей, работающих в школах региона, поэтому количество учителей может быть недостаточным, избыточным или соответствующим потребности в них. Соотношения между количеством работающих учителей и потребностью в них могут регулироваться за счет изменения некоторых параметров, численно вы
10 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
50 руб.