Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 8 Вариант 78

Цена:
220 руб.

Состав работы

material.view.file_icon Задача 8 Вариант 78.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Из бачка I вода подается при постоянном уровне через цилиндрический насадок диаметром d1 = (0,3 + 0,02·y) м в емкость, разделенную на два отсека: II и III. В перегородке есть прямоугольное отверстие размерами a = (0,4 + 0,02·y) м, b = (0,2 + 0,01·z) м. Полный напор над центром тяжести наружного отверстия диаметром d2 = (0,4 + 0,01·z) м H = (4,0 + 0,1·y) м.

Определить расход Q и высоты уровней воды в отсеках II и III, т. е. h1, h2, h3 (рис. 8).
Практическое задание №3. Педагогика.
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ 3 1. Спроектируйте ситуации оказания индивидуальной помощи в жизнедеятельности воспитательных организаций. 2. Проанализируйте локальную воспитательную систему в организации, где вы обучались (годы обучения в среднем или высшем учебном учреждении). 3. Раскройте принцип центрации социального воспитания на развитии личности. 4. На примере конкретного типа воспитательной организации раскройте содержание и способы обучения, просвещения и стимулирования самообразования.
User studypro2 : 4 апреля 2017
300 руб.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по дисциплине «Современные технологии программирования (часть 1)». Вариант №04.
Контрольная работа Тема: Последовательные контейнеры STL и модульное тестирование Цель: Сформировать практические навыки разработки абстракций данных на основе контейнеров STL и модульного тестирования средствами VisualStudio. Задание Реализовать обработку данных пользовательского типа (объектов класса) с помощью контейнера в соответствии с вариантом задания и со следующей спецификацией: • приложение заполняет контейнер данными, которые вводятся пользователем с консоли; • выводит содержимое кон
User teacher-sib : 3 июня 2019
600 руб.
promo
Электроника.Экзаменационные вопросы и ответы.
Электроника. Экзаменационная работа. Вопросы: 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитте
User sibgutido : 24 марта 2013
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант 4.
Контрольная работа 1 Комментарии: Уважаемый ..., Штейнбах (Конюкова) Ольга Леонидовна Проверил(а): Штейнбах (Конюкова) Ольга Леонидовна Оценка: Зачет Дата оценки: 31.10.2023г.
User MasterGammi : 15 сентября 2025
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант 4.
up Наверх