Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 4 Вариант 29

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon Задача 4 Вариант 29.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Наружная стена здания сделана из красного кирпича с коэффициентом теплопроводности λ=0,8 Вт/(м·ºС), толщина стены b. Температура воздуха в помещении — t1, наружного — t2.

Определите, пренебрегая лучистым теплообменом, коэффициент теплопередачи, удельную потерю тепла через стенку и температуру обеих поверхностей стенки по заданным коэффициентам теплоотдачи с обеих сторон α1 и α2.
Психология. Зачет
1.Основные подходы к проблеме эффективного управления коллективом организации.
User MK : 16 сентября 2016
30 руб.
Иностранный язык (английский) (часть 2). Экзамен. Билет №8
Билет №8 Задание 1.Выберите правильный ответ. 1. Any two computers of the Internet …. to stay in touch with each other as long as there is a single route between them. a) will be able b) would be able c) have been able 2. If some computers on the network are knocked out (by a nuclear explosion, for example), information … just … around them. a) are just routed b) has been routed c) will just route 3. Nobody knows exactly how many people use the Internet,
User SibGUTI2 : 19 апреля 2020
40 руб.
Иностранный язык (английский) (часть 2). Экзамен. Билет №8
Расчет и конструирование вала. Политех. СПБПУ
Расчет и конструирование вала. Политех. СПБПУ. Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого ВВЕДЕНИЕ Целью данной расчетно-графической работы является расчет и констру-ирование вала. Работа включает в себя и разработку конструкции двухопорного ступен-чатого вала, работающего на опорах жидкостного трения, с укрепленными на нем зубчатыми колесами. В расчетную часть входит определение нагрузок на вал, реакции опор, диаметров вала, проверка прочности в одном из сечений, расчет
User DiKey : 9 декабря 2020
300 руб.
Расчет и конструирование вала. Политех. СПБПУ
Воронков Э.Н. Твердотельная электроника
М.: МЭИ, 2002. - 181 с. Содержание Лекция 10 119 2.7. Силовые диоды 119 2.8. Стабилитроны 120 2.9. Полупроводниковые управляемые емкости (варикапы) 121 2.10. Туннельные диоды 123 Лекция 11 126 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 126 3.1. Принцип работы 126 Лекция 12 133 3.2. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора. 133 Лекция 13 147 3.4. Количественный анализ процессов в биполярном транзисторе. 147 Лекция 14 153 3.5. Влияние конструктивно технологических характеристик транзистора
User ostah : 13 сентября 2012
5 руб.
up Наверх