Теплотехника КГАУ 2015 Задача 1 Вариант 03
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Углекислый газ из начального состояния с параметрами р1 и t1 изотермически сжимается до давления р2, а затем изохорно охлаждается до температуры t3. Определить параметры состояния во всех остальных точках процессов и показать эти процессы в р,v и T,s–диаграммах. Вычислить также величины работы, теплоты, изменения внутренней энергии и энтропии в каждом процессе.
Другие работы
Дозатор сыпучих материалов инертный стационарный неравноплечий-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.nakonechnyy.92@mail.ru
: 24 сентября 2018
Дозатор сыпучих материалов инертный стационарный неравноплечий-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
369 руб.
Контрольная работа. Производственный менеджмент. Вариант 01.
DarkInq
: 11 ноября 2016
1. Изучить методику комплексной оценки товарных систем (МКОТС) и методику SERVQUAL.
2. С использованием методики SERVQUAL оценить качество работы компании – оператора сотовой связи, в которой Вы работаете, или услугами которой пользуетесь, опросив не менее 10-ти клиентов компании.
3. На основании обработанных данных опроса (рассчитанные коэффициенты качества и матрица результатов) сформулировать выводы о качестве работы компании в целом и в разрезе каждого критерия с последующим формированием пр
50 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-4 Вариант 40
Z24
: 16 января 2026
Водяной пар при давлении р1 и температуре t1, дросселируется до давления p2. Определить неизвестные параметры пара h, υ, s в начале и в конце дросселирования и потерю работоспособности Dh=T0·Δs.
Принять температуру окружающей среды равной t0. Изобразить процессы на hs — диаграмме.
150 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
konst1992
: 31 января 2018
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
50 руб.