Анализ стробоскопического преобразователя частоты
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Стробоскопическое преобразование сигналов широко применяется в экспериментальной физике, осциллографии для исследования переходных процессов в полупроводниковых приборах. Хорошо известен анализ кольцевого диодного стробпреобразователя, выполненный Н.С.Жилиным и В.А.Майстренко [1]. В основу этого анализа положена безынерционная эквивалентная схема полупроводникового диода, учитывающая лишь активное сопротивление базы p-n перехода. В рамках этой статьи будет предложен анализ стробпреобразователя с учетом инерционности полупроводникового диода, сделан выбор эквивалентной схемы диода, наиболее физически правильно отражающей переходные процессы, рассмотрена математическая модель и выполнен краткий анализ нелинейности выходного сигнала стробпреобразователя без обратной связи в диапазоне 10 Мгц-3 Ггц, а также представлен метод уменьшения уровня нелинейности.
1. Эквивалентная схема диода
Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1).
В отличие от других эквивалентных схем, в данной вместо диффузионной и барьерной емкости вводится накопитель заряда S. Это более правильно, чем введение формальных емкостей, так как накопитель заряда отражает наиболее точно физический процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.
1. Эквивалентная схема диода
Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1).
В отличие от других эквивалентных схем, в данной вместо диффузионной и барьерной емкости вводится накопитель заряда S. Это более правильно, чем введение формальных емкостей, так как накопитель заряда отражает наиболее точно физический процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.
Другие работы
Экзамен по товароведению и управлению качеством
ДО Сибгути
: 12 февраля 2014
Содержание
7. Свежие плоды: классификация (группы, подгруппы, сроки созревания, назначение); факторы, влияющие на потребительские достоинства и цены
15. Управление качеством сухого молока: факторы, формирующие уровень качества; условия транспортирования, хранения и сроки реализации; недопустимые дефекты; правила сертификации
27. Классификация и характеристика ассортимента машин для механизации и автоматизации кухонных работ
33. Факторы, формирующие ассортимент мебели
Список литературы
40 руб.
Трудовое право. Тест с ответами Синергия.
Nogav
: 22 ноября 2022
1. Возраст, с которого допускается заключение трудового договора, – …
• 14 лет
• 15 лет
• 16 лет
• 18 лет
2. Выделяют такой вид рабочего времени, как …
• Еженедельное
• Обеденное
• Праздничное
• Сверхурочное
3. Днем увольнения работника считается …
• День издания приказа (распоряжения) работодателя об увольнении работника
• Последний день его работы
• День выдачи разрешения выборного профсоюзного органа
4. Если изменяется рабочее место у работника в пределах данной организации и при
210 руб.
Теория сложности вычислительных процессов и структур. Вариант №6
aker
: 26 сентября 2021
Контрольная работа по дисциплине: Теория сложности вычислительных процессов и структур. Вариант 6
350 руб.
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
FreeForMe
: 10 апреля 2015
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все д
55 руб.