Анализ стробоскопического преобразователя частоты
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Стробоскопическое преобразование сигналов широко применяется в экспериментальной физике, осциллографии для исследования переходных процессов в полупроводниковых приборах. Хорошо известен анализ кольцевого диодного стробпреобразователя, выполненный Н.С.Жилиным и В.А.Майстренко [1]. В основу этого анализа положена безынерционная эквивалентная схема полупроводникового диода, учитывающая лишь активное сопротивление базы p-n перехода. В рамках этой статьи будет предложен анализ стробпреобразователя с учетом инерционности полупроводникового диода, сделан выбор эквивалентной схемы диода, наиболее физически правильно отражающей переходные процессы, рассмотрена математическая модель и выполнен краткий анализ нелинейности выходного сигнала стробпреобразователя без обратной связи в диапазоне 10 Мгц-3 Ггц, а также представлен метод уменьшения уровня нелинейности.
1. Эквивалентная схема диода
Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1).
В отличие от других эквивалентных схем, в данной вместо диффузионной и барьерной емкости вводится накопитель заряда S. Это более правильно, чем введение формальных емкостей, так как накопитель заряда отражает наиболее точно физический процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.
1. Эквивалентная схема диода
Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1).
В отличие от других эквивалентных схем, в данной вместо диффузионной и барьерной емкости вводится накопитель заряда S. Это более правильно, чем введение формальных емкостей, так как накопитель заряда отражает наиболее точно физический процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.
Другие работы
Основание шарнира. Вариант 3
lepris
: 30 ноября 2022
Основание шарнира. Вариант 3
Графическая работа ИГ 02 «Эскиз простой детали»
Цель: Научиться строить виды и разрезы простой детали по ее наглядному
изображению.
Содержание: Выполнить эскиз детали на миллиметровой бумаге формата А3.
Эскиз выполняется обязательно в трех видах (главный, сверху и слева) с применением полезных разрезов и сечений. Для симметричных деталей выполнить половинчатые разрезы.
3d модель и чертеж выполнен на формате А3 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве)
125 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. И. М. Губкина Гидростатика Задача 5 Вариант 7
Z24
: 6 декабря 2025
Определить суммарную силу давления на торцевую стенку АВ горизонтальной цилиндрической цистерны диаметром D, заполненной жидкостью плотностью ρ находящейся при температуре tºС. Уровень жидкости в горловине находится на расстоянии Н от дна. Горловина закрыта поршнем диаметром d, на который действует сила R.
Определить также координаты точки приложения силы давления на крышку АВ.
150 руб.
Курсовая. Информатика. УГАТУ. 14 Вариант
poipoilion
: 3 августа 2022
1. Студент должен получить задание на курсовую работу у преподавателя-консультанта в строго установ- ленные сроки. Студент, не получивший в установленные сроки, допускается к выполнению курсовой ра- боты только с разрешения деканата.
2. Выполнение курсовой работы предполагает регулярные консультации студента с преподавателем. Ритмичность выполнения курсовой работы учитывается при выставлении оценки за курсовую работу.
3. Защита (сдача) курсовой работы производится также в строго установленные ср
600 руб.
Гидравлика задача 2.223 Вариант 14
Z24
: 4 декабря 2025
Определить давление р1 жидкости, которое нужно подвести к гидроцилиндру, чтобы преодолеть усилие, направленное вдоль штока F. Диаметры: цилиндра D, штока d. Давление в бачке p0, высота H0. Силу трения не учитывать. Плотность жидкости ρ=800 кг/м³.
150 руб.