Анализ стробоскопического преобразователя частоты
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Стробоскопическое преобразование сигналов широко применяется в экспериментальной физике, осциллографии для исследования переходных процессов в полупроводниковых приборах. Хорошо известен анализ кольцевого диодного стробпреобразователя, выполненный Н.С.Жилиным и В.А.Майстренко [1]. В основу этого анализа положена безынерционная эквивалентная схема полупроводникового диода, учитывающая лишь активное сопротивление базы p-n перехода. В рамках этой статьи будет предложен анализ стробпреобразователя с учетом инерционности полупроводникового диода, сделан выбор эквивалентной схемы диода, наиболее физически правильно отражающей переходные процессы, рассмотрена математическая модель и выполнен краткий анализ нелинейности выходного сигнала стробпреобразователя без обратной связи в диапазоне 10 Мгц-3 Ггц, а также представлен метод уменьшения уровня нелинейности.
1. Эквивалентная схема диода
Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1).
В отличие от других эквивалентных схем, в данной вместо диффузионной и барьерной емкости вводится накопитель заряда S. Это более правильно, чем введение формальных емкостей, так как накопитель заряда отражает наиболее точно физический процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.
1. Эквивалентная схема диода
Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1).
В отличие от других эквивалентных схем, в данной вместо диффузионной и барьерной емкости вводится накопитель заряда S. Это более правильно, чем введение формальных емкостей, так как накопитель заряда отражает наиболее точно физический процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.
Другие работы
Разработка технологического процесса деталей
vit297
: 18 октября 2014
ДИПЛОМНЫЙ ПРОЕКТ
На тему:
«РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ: ШЕСТЕРНЯ И КОРПУС НАСОСА В УСЛОВИЯХ МЕЛКОСЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА»
Данный проект содержит:
Графическая часть – 10 листов формата А1.
Пояснительная записка содержит:
- 152 страницы текста;
- 28 таблиц;
- 13 рисунков;
- 2 технологических процесса механической обработки.
Раздел 1. Проектное задание. Анализ объектов производства
Раздел 2. Проектирование технологического процесса
Раздел 3. Использование ЭВМ
Разд
99 руб.
Государственное регулирование внешнеторговой деятельности
elementpio
: 28 сентября 2012
Автономная некоммерческая образовательная организация Высшего профессионального образования "Одинцовский гуманитарный институт", 2009. - 21 стр.
Дисциплина - Экономика государственного и муниципального сектора
Факультет Государственного и муниципального управления
Введение
Общее понятие о внешнеторговой деятельности
Направления внешнеторговой деятельности
Государственное регулирование перемещение товара через таможенную границу
Этапы развития регулирования экспорта и импорта
Механизм государ
50 руб.
Лабораторная работа №2. Операционные системы реального времени. 10-й вариант
Despite
: 28 октября 2014
по материалу первой главы курса "Процессы и нити"
В данной лабораторной работе предлагается разработать систему из двух программ: про-грамма рисования, работающая в графическом режиме с помощью библиотеки wingraph, и запускающее её, а затем управляющее ей консольное приложение. Всё это делается по ана-логии с примерами, рассмотренными в лекционном материале. Варианты заданий уточня-ются ниже. Во всех заданиях движение фигур должно реализовываться отдельными нитями. Рекомендуется по возможности
60 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 4.47
Z24
: 13 ноября 2025
Построить тело давления и определить силу давления жидкости на боковую поверхность цилиндрической крышки резервуара (рис. 4.50) и угол ее наклона к горизонту α при следующих данных: радиус образующей цилиндра R=1,6 м, длина образующей цилиндра b=1,5 м, относительная плотность жидкости δ=0,9, Н=2,5 м. Вакуумметрическое давление в резервуаре р0в=0,35·105 Па.
200 руб.