Эффект возрастания критического тока в YBaCuO пленках

Работа многих приборов, созданных на основе высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) пленок (особенно сквидов), существенно зависит от токовых транспортных свойств ВТСП пленок [1-3]. При эксплуатации приборов их сверхпроводящие элементы будут подвергаться многократному термоциклированию - охлаждению до рабочей температуры (77 К) и обогреву до комнатной температуры. Это обстоятельство делает актуальным исследование влияния термоциклирования на значения плотностей критического тока Jc сверхпроводящих пленок.
В данной работе нами проведено исследование зависимости плотности критического тока Jc от числа термоциклов n для Эффект возрастания критического тока в YBaCuO пленках, выращенных методом лазерной абляции на различных подложках [4]. В качестве подложек были взяты монокристаллы SrTiO3 (100), LaAlO3 (100) и сапфира (100). Мишенью служили поликристаллические таблетки YBaCuO диаметром 1 см, толщиной 0,5 см и плотностью 4,4-4,6 г/см2. Для выращивания YBaCuO пленок применялся импульсный лазер ЛТИ-403 с Nd-YAG стержнем со следующими параметрами лазерного излучения: длина волны излучения 1,06 мкм, длительность импульса 20 нс, частотой повторения импульсов 12 Гц. Температура подложки поддерживалась оптимальной - 810-840oC, при давлении кислорода в напылительной камере 0,1 торр. Плотность мощности лазерного излучения на поверхности мишени также принимала оптимальные значения - (3-8) 108Вт/см2. Скорость охлаждения пленки после процесса напыления составляла 25 град/мин.
Методика термоциклирования была построена по следующей схеме: охлаждение образцов до температуры кипения жидкого азота проводились со скоростью 25 град/мин, а нагрев - со скоростью 40 град/мин. Различие в скоростях охлаждения и нагрева происходило по причине различного механизма теплоотвода. Следует отметить, что такие скорости охлаждения и нагрева создают условие термоудара.