«Электротехника и электроника». Экзаменационная работа.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2011. Зачтено.
Похожие материалы
Электротехника и электроника. Экзаменационная работа.
zhekaersh
: 20 марта 2015
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажит
80 руб.
Экзаменационная работа. Электротехника и электроника. Билет №2
tusur
: 20 февраля 2014
1.Классический метод расчета переходных процессов. Понятие принужденной и свободной составляющей.
2. В общем виде записать выражение для АЧХ и ФЧХ цепи, качественно построить эти характеристики.
200 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
holm4enko87
: 4 февраля 2025
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канало
90 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №7
Учеба "Под ключ"
: 8 сентября 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №18
Amor
: 21 октября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
Roma967
: 11 октября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канал
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №11
Roma967
: 25 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа.
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: “Электротехника и электроника”. Билет №16
Jack
: 6 сентября 2014
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, к
150 руб.
Другие работы
Теплотехника Задача 13.230
Z24
: 4 февраля 2026
Перегретый пар при р1абс = 30 ата и t1 = 400ºС сначала расширяется по адиабате до сухого насыщенного состояния, а затем охлаждается при постоянном объеме до t = 130ºС. Определить q, Δu, Δi, Δs, l.
200 руб.
Особливості дихальної та серцево-судинної системи у дитини
ostah
: 2 февраля 2013
Зміст
Вступ
1. Анатомо-фізіологічні особливості органів кровообігу і серцево-судинної системи
1.1 Природжені вади серця
2. Анатомо-фізіологічні особливості органів дихання у дітей. Хвороби органів дихання
3. Регуляція регіонального кровообігу
3.1 Коронарне кровопостачання
3.2 Регуляція коронарного кровотоку
3.3 Легеневий кровообіг
3.4 Регуляція легеневого кровообігу
3.5 Місцева регуляція легеневого кровотоку
3.6 Мозковий кровообіг
3.7 Нирковий кровообіг
3.8 Кровопостачання в скелетних м'язах
3.
Гидравлика и теплотехника ТОГУ Задача 2.25 Вариант 5
Z24
: 13 декабря 2025
Поршневой двигатель внутреннего сгорания работает по идеальному циклу с подводом q1 теплоты при постоянном давлении. Определить основные параметры рабочего тела в переходных точках цикла, его термический КПД и полезную работу, если начальное абсолютное давление 0,1 МПа, начальная температура 80ºС и степень сжатия ε. Теплоемкость воздуха считать не зависящей от температуры. Рабочее тело 1 сухого воздуха. Изобразить цикл в рυ и Ts — координатах.
220 руб.
Диагностика предрасположенности личности к конфликтному поведению по методике К. Томаса
Slolka
: 19 октября 2013
Конфликтология – это целая отрасль науки, которая пытается понять, оценить и предупредить появление конфликтных ситуаций. Вам в вашем ежедневном общении выбрать оптимальный стиль поведения поможет тест Томаса, который нацелен на выявление вашего предпочитаемого стиля поведения в ситуациях конфликта.
Конфликтология Томаса основана на методике определения факторов конфликта и их исправления.
Сам Томас причислял к стилям поведения следующие виды реакции:
- соревнование или соперничество — в конф