«Электротехника и электроника». Экзаменационная работа.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2011. Зачтено.
Похожие материалы
Электротехника и электроника. Экзаменационная работа.
zhekaersh
: 20 марта 2015
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажит
80 руб.
Экзаменационная работа. Электротехника и электроника. Билет №2
tusur
: 20 февраля 2014
1.Классический метод расчета переходных процессов. Понятие принужденной и свободной составляющей.
2. В общем виде записать выражение для АЧХ и ФЧХ цепи, качественно построить эти характеристики.
200 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
holm4enko87
: 4 февраля 2025
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канало
90 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №7
Учеба "Под ключ"
: 8 сентября 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №18
Amor
: 21 октября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
Roma967
: 11 октября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канал
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №11
Roma967
: 25 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа.
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: “Электротехника и электроника”. Билет №16
Jack
: 6 сентября 2014
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, к
150 руб.
Другие работы
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 214
Z24
: 25 сентября 2025
Воздушный буфер состоит из цилиндра, плотно закрытого подвижным поршнем. Длина цилиндра 50 см, а диаметр 20 см. Параметры воздуха, находящегося в цилиндре, соответствуют параметрам окружающей среды: р1=0,1 МПа и t1=20 ºС.
Определить энергию, которую может принять воздушный буфер при адиабатном сжатии воздуха, если движущийся без трения поршень продвинется на 40 см. Найти также конечное давление и конечную температуру воздуха.
Ответ: ΔL=2314 Дж, t2=285 ºС, р2=0,95 МПа.
150 руб.
Реформирование электроэнергетики России в контексте мировой энергетики
DocentMark
: 27 сентября 2013
Содержание
Введение 3
1. Мировая электроэнергетика
1.1 Обзор мировой электроэнергетики 4
1.2 Долгосрочные перспективы мирового рынка Электроэнергии 6
1.3 Мировой опыт реформирования электроэнергетики 7
2 Электроэнергетика в России
2.1 Обзор электроэнергетической отрасли Российской Фе
Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант 06. Семестр 4. ЗО
grigorev1976
: 20 августа 2015
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
построить линию нагрузки;
построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажения формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
рассчитать для линейного (мало искаженного) режима коэффициенты усиления по току К_I, напряже
150 руб.
Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах. Лабораторная работа №2. Шифр 04.
krakadil
: 14 декабря 2015
1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ
1.1 Изучить:
- теоретические основы измерений вносимых затуханий методом светопропусканий;
- особенности измерений методом светопропусканий;
1.2 Получить практические навыки измерений вносимых затуханий с помощью оптического тестера.
Решение измерительных задач
Вариант определяется следующим образом:
где N – номер варианта;
int[X] – целая часть числа Х;
n – двузначное число, составленное из двух последних цифр номера зачетной книжки.
300 руб.