Электроника. Экзамен

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1110C46F-874E-4EB8-AB97-7B7433E1E19C.rar [ 157 KB ]
material.view.file_icon Электроника-экз..docx [ 179 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 25.10.2013
Рецензия:Уважаемый Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.

Другие работы

Крышка. Задание №64. Вариант №6
Крышка Задание 64 Вариант 6 Соединить половину фронтального разреза с половиной вида спереди. 3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
Начертательная геометрия и инженерная графика БГУ Практические занятия и отчеты
User coolns : 3 августа 2021
85 руб.
Крышка. Задание №64. Вариант №6 promo
Расчитать основные несущие конструкции многоэтажного производственного здания рамно-связевой системы (с несущими наружными кирпичными стенами и внутренним рамным каркасом).
Сбор нагрузок на 1 м2 перекрытия…………………………………………………...4 Исходные данные…………………………………………………………………..….4 Статический расчет пустотной плиты перекрытия……………………………….....4 Расчет продольного ребра по нормальным сечениям………………………………..5 Расчёт прочности продольного ребра по наклонным сечениям на действие поперечной силы……………………………………………………..….7 Определение усилия предварительного обжатия……………………………………8 Расчёт по образованию нормальных трещин……………………………………..…9 Расчёт по деформациям…………………………………………………………
Архитектура Работа Курсовая
User elementpio : 20 августа 2012
50 руб.
Математическая логика и теория алгоритмов. Контрольная работа. 8-й вариант.
1. Пользуясь определением формулы исчисления высказываний проверить является ли данное выражение формулой. (A→(B→C))→((A→B)→C) 2. Записать рассуждение в логической символике и проверить правильность рассуждения методом Куайна, методом редукции и методом резолюций. Если бы он ей не сказал, она бы не узнала. А не спроси она его, он бы и не сказал ей. Но она узнала. Значит, она его спросила. 3. Пользуясь определением формулы логики предикатов проверить, что выражение является формулой. В формуле
СибГУТИ Математическая логика и теория алгоритмов Работа Контрольная
User Coder : 7 июня 2018
100 руб.
Математическая логика и теория алгоритмов. Контрольная работа. 8-й вариант.
Курсовая работа по дисциплине «Менеджмент в телекоммуникациях». Вариант: №4
Исходные данные: 1. Емкость проектируемой АТС, номеров 9000. 2. Количество соединительных линий от проектируемой АТС к другим АТС и УВС (исходящие/входящие): АТС 1 - 57/59 УВС 1 - - / 174 АТС 2 - 67/73 УВС 2 - 155 / - АТС 3 - 72/69 УВС 3 - 137 / - 3. Расстояние между проектируемой АТС и другими АТС и УВС: АТС 1 - 3,4 УВС 1 - 5,9 АТС 2 - 1,7 УВС 2 - 4,7 АТС 3 - 2,4 УВС 3 - 7,1 4. Средняя длина прямых ли
СибГУТИ Менеджмент в телекоммуникациях Работа Курсовая
User ladyChery : 29 марта 2012
200 руб.
up Наверх