Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» (3-й семестр). Билет №10

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 19D6EDE8-61D6-4802-AAF1-A9C656CCCB5A.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Частотный метод анализа.
2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (3 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 20.01.2014
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» билет №10
1. Частотный метод анализа. Для анализа переходных процессов при воздействии на цепь сигналов произвольной формы наряду с временным и оператор­ным методом широко используется частотный метод анализа, бази­рующийся на спектральных представлениях сигнала. 2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.
User selkup : 16 марта 2017
250 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-
User selkup : 16 марта 2017
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника». Вариант: №7
Билет №11 1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). R=1000 Oм, C=1 мкФ
User kiana : 1 февраля 2014
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 3-й семестр. 11-й билет
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). R=1000 Oм, C=1 мкФ
User karapulka : 2 июня 2016
45 руб.
Зачет по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Билет №10
Билет № 10 для зачета по дисциплине "Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1) " 1. Частотный метод анализа. 2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.
User IT-STUDHELP : 7 декабря 2020
44 руб.
Зачет по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Билет №10
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й семестр). Контрольная работа. Вариант №2
Задача №1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Задача №2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
User selkup : 9 декабря 2013
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й семестр). Контрольная работа. Вариант №18
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные: Тип ПТ: КП 303В UСИ0, В: 7 UЗИ0, В: -3,2 Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 1) транзистора определить h-параметр
User Shamrock : 3 июля 2013
220 руб.
Расчет параметров системы с одним сервером.
СИТ: Количество абонентов сервера в момент начала эксплуатации сети: nаб = 100 +10 х К = 100 + 10 х 9 = 190 абонентов, где к – последняя цифра студенческого билета(039); nаб – число абонентов на 1 год эксплуатации; Динамика роста числа абонентов в течении 5 лет находим по формуле: nаб i = nаб 1 [1 + 0,1 ( i – 1)], где i – номер года эксплуатации, т.е. число абонентов растет на 10% с каждым годом.
User marilottar : 24 марта 2017
400 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 2 Вариант 20
Водяной пар с давлением р1 и степенью сухости х1 из барабана котла-утилизатора поступает в пароперегреватель, где его температура повышается на величину Δt. После пароперегревателя пар подается в турбину, где адиабатно обратимо расширяется до давления p3. Определить количество теплоты, подведенной к пару в пароперегревателе, работу цикла Ренкина, степень сухости пара в конце процесса расширения в турбине и термический КПД цикла. Определить работу цикла и КПД, если после пароперегревателя пар
User Z24 : 23 января 2026
200 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 2 Вариант 20
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 11 Вариант 87
Канал (земляной) трапецеидального сечения имеет коэффициент заложения откосов m = 1,5; уклон дна i = (0,0006 + 0,0001·y); ширину дна русла b = (2,5 + 0,05·z) м и пропускает при глубине h0 = (1,5 + 0,05·y) м расход Q1 = (6,5 + 0,1·z) м³/с. На сколько метров нужно уширить канал при сохранении заданных m и i, чтобы он пропускал при том же наполнении расход Q2 = (9 + 0,1·z) м³/с (рис. 11)?
User Z24 : 2 января 2026
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 11 Вариант 87
Политическая элита Казахстана
Введение Этапы развития политической элиты Казахстана Общая характеристика современной политической элиты Казахстана Уровень конфликтогенного потенциала внутри политической элиты Казахстана Три модели смены элит на постсоветском пространстве Условия необходимые для эффективной реализации любой политической реформы Варианты политического развития Казахстана Заключение Список литературы Введение Как объясняют различные исследователи понятие «политическая элита»? В последние десятилетия термин
User Qiwir : 18 января 2014
5 руб.
up Наверх