Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» (3-й семестр). Билет №10
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Частотный метод анализа.
2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.
2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (3 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 20.01.2014
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (3 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 20.01.2014
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» билет №10
selkup
: 16 марта 2017
1. Частотный метод анализа.
Для анализа переходных процессов при воздействии на цепь сигналов произвольной формы наряду с временным и операторным методом широко используется частотный метод анализа, базирующийся на спектральных представлениях сигнала.
2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.
250 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»
selkup
: 16 марта 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
karapulka
: 22 января 2017
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные ха
50 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника». Вариант: №7
kiana
: 1 февраля 2014
Билет №11
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 3-й семестр. 11-й билет
karapulka
: 2 июня 2016
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
45 руб.
Зачет по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Билет №10
IT-STUDHELP
: 7 декабря 2020
Билет № 10
для зачета по дисциплине "Электротехника, электроника и
схемотехника (часть 1) "
1. Частотный метод анализа.
2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.
44 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й семестр). Контрольная работа. Вариант №2
selkup
: 9 декабря 2013
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Задача №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й семестр). Контрольная работа. Вариант №18
Shamrock
: 3 июля 2013
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные:
Тип ПТ: КП 303В
UСИ0, В: 7
UЗИ0, В: -3,2
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 1) транзистора определить h-параметр
220 руб.
Другие работы
Расчет параметров системы с одним сервером.
marilottar
: 24 марта 2017
СИТ:
Количество абонентов сервера в момент начала эксплуатации сети:
nаб = 100 +10 х К = 100 + 10 х 9 = 190 абонентов, где
к – последняя цифра студенческого билета(039);
nаб – число абонентов на 1 год эксплуатации;
Динамика роста числа абонентов в течении 5 лет находим по формуле:
nаб i = nаб 1 [1 + 0,1 ( i – 1)], где
i – номер года эксплуатации, т.е. число абонентов растет на 10% с каждым годом.
400 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 2 Вариант 20
Z24
: 23 января 2026
Водяной пар с давлением р1 и степенью сухости х1 из барабана котла-утилизатора поступает в пароперегреватель, где его температура повышается на величину Δt. После пароперегревателя пар подается в турбину, где адиабатно обратимо расширяется до давления p3.
Определить количество теплоты, подведенной к пару в пароперегревателе, работу цикла Ренкина, степень сухости пара в конце процесса расширения в турбине и термический КПД цикла. Определить работу цикла и КПД, если после пароперегревателя пар
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 11 Вариант 87
Z24
: 2 января 2026
Канал (земляной) трапецеидального сечения имеет коэффициент заложения откосов m = 1,5; уклон дна i = (0,0006 + 0,0001·y); ширину дна русла b = (2,5 + 0,05·z) м и пропускает при глубине h0 = (1,5 + 0,05·y) м расход Q1 = (6,5 + 0,1·z) м³/с.
На сколько метров нужно уширить канал при сохранении заданных m и i, чтобы он пропускал при том же наполнении расход Q2 = (9 + 0,1·z) м³/с (рис. 11)?
200 руб.
Политическая элита Казахстана
Qiwir
: 18 января 2014
Введение
Этапы развития политической элиты Казахстана
Общая характеристика современной политической элиты Казахстана
Уровень конфликтогенного потенциала внутри политической элиты Казахстана
Три модели смены элит на постсоветском пространстве
Условия необходимые для эффективной реализации любой политической реформы
Варианты политического развития Казахстана
Заключение
Список литературы
Введение
Как объясняют различные исследователи понятие «политическая элита»?
В последние десятилетия термин
5 руб.