Шпаргалка по электронным приборам
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Полупроводниковые резисторы: варисторы и терморезисторы. Типы и основные характеристики
Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.
Статические характеристики транзистора в схеме с общие базой
Энергетическая диаграмма собственного полупроводника. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.
Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером 4
Энергетические диаграммы твердых тел.
Схемы включения биполярного транзистора и режимы работы
Как образуется энергетический спектр электронов в твердых телах и каков его характер
Устройство и принципы действия биполярного транзистора.
Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника.
Диодный тиристор. Структура и принцип работы.
Пояснить термины: основные и неосновные носители заряда; генерация и рекомбинация носителей заряда; равновесная и неравновесная концентрация носителей заряда
Полевые транзисторы со встроенным каналом. Статические характеристики.
Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.
Фотопроводимость полупроводников. Спектральная и вольт-амперная характеристики
Туннельные и обращенные диоды и их параметры.
Образование р-n-перехода. Контактная разность потенциалов.
Фотодиоды и светодиоды. Структуры и схемы включения.
Обратное включение р-n-перехода
Интегральные микросхемы. Классификационные признаки и деление ИМС на классы.
ВАХ р-n-перехода.
Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Статические характеристики.
Пробой р-n-перехода. Виды пробоя.
Триодный тиристор. Структура и принцип работы.
Емкости р-n-перехода.
Принцип работы транзисторного усилителя.
Выпрямительные диоды и их параметры.
МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Статические характеристики.
Полупроводниковые стабилитроны и их параметры.
Варикапы и их параметры.
Топология и структура многоэмиттерного и многоколлекторного транзисторов.
Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.
Статические характеристики транзистора в схеме с общие базой
Энергетическая диаграмма собственного полупроводника. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.
Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером 4
Энергетические диаграммы твердых тел.
Схемы включения биполярного транзистора и режимы работы
Как образуется энергетический спектр электронов в твердых телах и каков его характер
Устройство и принципы действия биполярного транзистора.
Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника.
Диодный тиристор. Структура и принцип работы.
Пояснить термины: основные и неосновные носители заряда; генерация и рекомбинация носителей заряда; равновесная и неравновесная концентрация носителей заряда
Полевые транзисторы со встроенным каналом. Статические характеристики.
Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.
Фотопроводимость полупроводников. Спектральная и вольт-амперная характеристики
Туннельные и обращенные диоды и их параметры.
Образование р-n-перехода. Контактная разность потенциалов.
Фотодиоды и светодиоды. Структуры и схемы включения.
Обратное включение р-n-перехода
Интегральные микросхемы. Классификационные признаки и деление ИМС на классы.
ВАХ р-n-перехода.
Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Статические характеристики.
Пробой р-n-перехода. Виды пробоя.
Триодный тиристор. Структура и принцип работы.
Емкости р-n-перехода.
Принцип работы транзисторного усилителя.
Выпрямительные диоды и их параметры.
МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Статические характеристики.
Полупроводниковые стабилитроны и их параметры.
Варикапы и их параметры.
Топология и структура многоэмиттерного и многоколлекторного транзисторов.
Другие работы
Объектно-ориентированное программирование. Лабораторная работа №1. Для всех вариантов (2019)
nik200511
: 16 мая 2019
Лабораторная работа №1
Тема: Принцип инкапсуляции. Описание класса.
Задание:
Часть 1. Описать класс tPoint, инкапсулирующий основные свойства и методы точки на плоскости. При написании программы на С++ или С# инициализировать поля с помощью конструктора (объявить два конструктора: по умолчанию и с параметрами). Создать массив из 100 точек. Нарисовать точки случайным образом случайным цветом на экране.
Часть 2. Сделать защиту полей класса (т.е. работать с полями в основной программе не напр
52 руб.
Термодинамика и теплопередача ДВГУПС 2004 Контрольная работа 3 Задача 6 Вариант 3
Z24
: 1 января 2026
В рекуперативном прямоточном теплообменнике температура греющего теплоносителя падает от t′1 = 100°C до t′′1, а температура нагреваемой среды повышается от t′2 = 20°С до t′′2. Расход греющего теплоносителя М1, его теплоемкость с = 4,2 кДж/(кг·К). Площадь поверхности теплообменника F = 15 м². Определить коэффициент теплопередачи теплообменника.
150 руб.
Практическая работа №4. Расчет процессов и аппаратов адсорбции газов
f-akho
: 23 мая 2022
8 вариант
Цель работы: Применение приобретенных знаний при расчете процесса адсорбции и аппарата адсорбера.
300 руб.
Командообразование.Тест Синергия 2023г (90 баллов)
annaserg
: 13 июля 2024
Сдано на 90баллов в 2023г. Верно 27 из 30 вопросов. Скриншот с отметкой прилагается к работе. Ответы выделены цветом
После покупки Вы получите файл с ответами на вопросы которые указаны ниже:
1. Установите последовательность факторов мотивации персонала при формировании команды на этапе приспособления:
Тип ответа: Сортировка
1 осуществление положительного и отрицательного подкрепления
2 акцентирование внимания на межличностных отношениях
3 разрешение конфликтов и противоречий
4 п
250 руб.