Электроника. Разработка интегрального устройства
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
10.03.2015
-
Размер:
252 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
7059520
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
KR_-_Razrabotka_integralnogo_ustroystva.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
4.2.Разработка топологии…………….…………………………………..13
4.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы……...………………………………..………14
Заключение……………………………………………………...………………..15
Список используемой литературы……………………………………………...16
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства
2. Расчет элементов принципиальной схемы
3. Расчет амплитудно–частотной характеристики усилителя
4.Разработка интегральной микросхемы
4.1 Выбор навесных элементов и расчет пленочных элементов
4.2 Разработка топологии
4.3 Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы
Заключение
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
4.2.Разработка топологии…………….…………………………………..13
4.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы……...………………………………..………14
Заключение……………………………………………………...………………..15
Список используемой литературы……………………………………………...16
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства
2. Расчет элементов принципиальной схемы
3. Расчет амплитудно–частотной характеристики усилителя
4.Разработка интегральной микросхемы
4.1 Выбор навесных элементов и расчет пленочных элементов
4.2 Разработка топологии
4.3 Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы
Заключение
Похожие материалы
Курсовая работа по дисциплине: Электроника Разработка интегрального устройства
kirillSidGUTI
: 10 декабря 2016
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. РАЗРАБОТКА СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ
2. РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ
3. РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ
3.1 ВЫБОР НАВЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАСЧЕТ КОНФИГУРАЦИИ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
4. РАСЧЁТ ПЕРВОГО КАСКАДА НА VT1
5. РАСЧЁТ ЁМКОСТЕЙ СР1, СК, СР2, СР3.
6. РАСЧЕТ АЧХ
7. ВЫБОР НАВЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАСЧЁТ КОНФИГУРАЦИИ ПЛЁНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
ЛИТЕРАТУРА
kirillSidGUTI
: 10 декабря 2016
260 руб.
Разработка интегрального устройства
KPanda
: 5 декабря 2019
Вариант №2
Техническое задание:
1. Напряжение источника питания Uп = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, ти
KPanda
: 5 декабря 2019
1000 руб.
Курсовая работа Электроника РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА Вариант 68
Lezvix
: 20 апреля 2021
Цель курсовой работы
Научиться:
- осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых тран-зисторов;
- производить электрический расчет схем простейших устройств;
- приобрести навыки в составлении топологии интегральных микросхем.
Выбор варианта
Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля, либо номер варианта задает преподаватель. Варианты заданий приведены в приложении П.1.
Содержание курсовой работы
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной и принци
Lezvix
: 20 апреля 2021
200 руб.
Электроника Разработка интегрального электронного устройства
Maks8
: 16 мая 2019
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Е=-9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu=7.
3. Входное сопротивление Rвх=0,47 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн=2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном=3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн=300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв=3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметрич
Maks8
: 16 мая 2019
200 руб.
СибГУТИ. Электроника. Разработка интегрального цифрового устройства.
Art55555
: 16 октября 2014
Введение
Задание
Часть 1: Электронный расчет цифровой ИМС
1.1 Расчет режимов работы
1.2 Расчет мощностей, потребляемой микросхемой
1.3 Составление таблицы истинности и определение логической функции
Часть 2 Разработка топологии ИМС
2.1 Выбор материала для пленочных элементов и их расчет
2.2 Выбор размера подложки
2.3 Выбор подложки
2.4 Разработка топологии и составление топологического
чертежа
Список используемой литературы
Целью курсовой работы является закрепление теоретическог
Art55555
: 16 октября 2014
100 руб.
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Виктория30
: 30 ноября 2022
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
Виктория30
: 30 ноября 2022
250 руб.
"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
b1nom
: 14 января 2018
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Т
b1nom
: 14 января 2018
700 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение………………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Другие работы
Гастростаз и дуоденостаз. Рефлюкс-гастрит
evelin
: 26 января 2013
Поздний (гипогликемический) демпинг-синдром менее распространен, чем ранний. Общим для раннего и позднего демпинг-синдрома является то, что они наступают последовательно, соответственно, через 10-15 мин и 1-3 ч после еды, следуя один за другим.
Патогенез позднего синдрома связывают с избыточной продукцией инсулина в ответ на быстрое поступление углеводов из желудка в тонкую кишку, их скорое всасывание и развитие гипергликемии во время ранней демпинг-реакции. В результате гиперинсулинемии состоян
evelin
: 26 января 2013
Элеватор ЭТАД-50-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
lenya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 21 января 2018
Элеватор ЭТАД-50-Ивано-Франковский национальный технический университет нефти и газа
2014 год
Кафедра нефтегазовое оборудование
Тема : Елеватор ЕТАД-50
Елеватор ЕТАД-50 призначений для захоплення під муфту i утримання в підвішеному стані НКТ вантажопідйомністю 50 т. Застосування змінних висувних захвата дозволяє експлуатувати труби діаметром від 48 до 114 мм.
Технічні вимоги
1 Невказані радіуси заокруглень 3 мм мах
2 При збиранні не допускати попадання механічних
частиноквсередину
3 Н14 , h14 ,
lenya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 21 января 2018
460 руб.
Основні теорії походження держави і права
ostah
: 10 сентября 2013
Вступ.
Вивчення процесу походження держави і права має не тільки академічний, але і практичних характер. Воно дозволяє глибше осягнути соціальну природу держави і права, їх особливості і риси, дає можливість проаналізувати причини і умови їх виникнення і розвитку.
Питання про походження або виникнення держави можна розглядати з двох позицій. По-перше, яким чином в умовах родового суспільства зародилась держава? По-друге, яким чином в останні століття і в сучасний період виникають нові держави?
ostah
: 10 сентября 2013
45 руб.
Клапан питательный - ЧМ.06.24.00.00 СБ
.Инженер.
: 16 февраля 2025
Клапан устанавливается на трубопроводах, соединяющих резервуары с устройствами, нагнетающими газы или жидкости. В корпусе 1 на кольцо 6 поставлен клапан 5. Пружина 8 опирается на клапан 5 и седло 3. Рабочее состояние пружины достигается посредством винта 4. Вращение винта осуществляется ручкой 7, которая соединяется с винтом посредством призматической шпонки 11. В камере клапана просверлено отверстие для обеспечения атмосферного давления. Поставить или вынуть клапан из корпуса можно посредством
.Инженер.
: 16 февраля 2025
600 руб.
