Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. ВАРИАНТ 19. семестр 6
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Методические рекомендации к выполнению контрольной работы
Учебным планом для заочного отделения планируется выполнение контрольной работы, предусматривающей решение четырех задач. Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Содержание задач контрольной работ
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Учебным планом для заочного отделения планируется выполнение контрольной работы, предусматривающей решение четырех задач. Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Содержание задач контрольной работ
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 23.04.2015
Рецензия:Уважаемая
ВЫ правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 23.04.2015
Рецензия:Уважаемая
ВЫ правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Устройства оптоэлектроники" . Семестр 6
настя2014
: 10 мая 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе моноперехода.
Раздел Излучатели.
2.Ввод излучения в световоды.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия сканистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант№19
58197
: 6 октября 2013
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены
50 руб.
Оптоэлектроника ( устройства оптоэлектроники ) Контрольная работа вариант №19
andreyan
: 2 февраля 2017
Вариант No19
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Варианты и данные фотоприемников
50 руб.
Другие работы
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Зачёт. Билет № 08
Gila
: 17 января 2019
Билет № 08
1. Определить входное сопротивление усилителя, если при ЭДС источника сигнала Еист=1 мВ и внутреннем сопротивлении источника сигнала Rист = 1 кОм входное напряжение Uвх = 0,8 мВ.
2. Усилительное устройство (УУ) без ООС имеет значение сквозных коэффициентов усиления на средней частоте K*fср = 70, на нижней частоте K*fн = 60, на верхней частоте K*fв = 70. Найти, чему будут равны значения этих же коэффициентов усиления при введении в УУ частотнонезависимой ООС, если ее глубина на средней
210 руб.
Реферат: Благовещенский собор
evelin
: 26 августа 2013
В юго-западной части Соборной площади расположен изящный девятиглавый с золотыми куполами Благовещенский собор. Собор строился в 1484— годах псковскими мастерами как домовая крепость великого московского князя. Первоначально храм был небольшой и венчался тремя главами. В 60‐х годах XVI века были возведены четыре одноглавые церкви (приделы) над г лереями собора и две ложные —таким образом, собор превратился в девятиглавое сооружение. В 70‐х годах XVI века для Ивана Грозного пристроили паперть с в
Контрольная работа №1 по дисциплине: "Электромагнитные поля и волны". Вариант №9
loly1414
: 28 июня 2011
ЗАДАЧА 1
Плоская электромагнитная волна с частотой f распространяется в безграничной реальной среде с диэлектрической проницаемостью , магнитной проницаемостью проводимостью . Амплитуда напряженности электрического поля в точке с координатой z = 0 Еm.
1. Определить к какому типу относится данная среда на заданной частоте.
2. Рассчитать фазовый набег волны на расстоянии, равном глубине проникновения ∆0.
3. Рассчитать отношение фазовой скорости в реальной среде к фазовой скорости в идеальной
100 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 197
Z24
: 25 сентября 2025
Воздух при давлении р1=0,45 МПа, расширяясь адиабатно до 0,12 МПа, охлаждается до t2=-45 ºC.
Определить начальную температуру и работу, совершенную 1 кг воздуха.
Ответ: t1=61 ºC, l=75,3 кДж/кг.
150 руб.