Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №4

Цена:
48 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Устройства оптоэлектроники.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По таблице 1. Тип фотоприемника (ФП) Лавинный фотодиод
Вариант№0
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.

Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников  
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h  
 Ширина запрещенной зоны D W, эВ

0 Ge 0,2 0,6
Вариант№4
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.1).
Вариант№0
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В
 Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 25.04.2012
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств. Раздел Излучатели. 2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фоторезистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
User Vasay2010 : 28 апреля 2013
52 руб.
Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №6
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Тип ПП материала Ge Квантовая эффективность, n=0,2 Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисе
User Vasay2010 : 28 апреля 2013
48 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №7
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Световые параметры. Раздел Излучатели. 2.Принцип действия и условия работы лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.ПЗС фотоприемник. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
User Vasay2010 : 30 апреля 2015
39 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №5
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Энергетические характеристики оптического излучения. Раздел Излучатели. 2.Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Плазменные панели.
User Vasay2010 : 12 мая 2013
49 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Световые параметры. Раздел Излучатели. 2.Принцип действия и условия работы лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.ПЗС фотоприемник. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
User shurik79997 : 1 сентября 2015
150 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 04. Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 6 задачи соответствует предпоследней цифре шифра.
User Philius : 30 июня 2017
200 руб.
Контрольная работа. Вариант №4. Устройства оптоэлектроники
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4: Лавинный фотодиод. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Вариант 0: Тип ПП материала: Ge; Квантовая эффективность η=0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ; Изобразить принципиальную схему включения семи
User Leprous : 8 июля 2015
35 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №4
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Исходные данные для решения задачи: Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность, η - 0,2 Ширина запрещенной зоны
User MN : 19 августа 2014
150 руб.
Прямые налоги в РФ и перспективы их развития
Выпускная квалификационная (дипломная) работа: 72 страницы, 7 таблиц, 39 источников. Налог, прямые налоги, налогоплательщик, объект налогообложения, налоговая ставка, налоговые вычеты, налоговая база, налоговый период, налоговая декларация, доход, имущество, перспективы развития, игорный бизнес, полезные ископаемые, вменённый доход, прибыль. Тема: «Прямые налоги в РФ и перспективы их развития». Цель: изучение прямых налогов и перспектив их развития в условиях рыночной экономики Российской Фед
User Elfa254 : 27 октября 2013
10 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 12 Вариант 17
Определить удельный тепловой поток и коэффициент теплоотдачи излучения между двумя параллельно расположенными пластинами, с температурой t1 и t2 и степенью черноты ε1 и ε2. Как изменится удельный тепловой поток, если между пластинами установить экран со степенью черноты εэ.
User Z24 : 25 февраля 2026
200 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 12 Вариант 17
Региональная политика России: концепции, проблемы, решения
I. Региональная политика России концепции, проблемы, решения. Любая политика - это цели и задачи, преследуемые и решаемые людьми в связи с их конкретными интересами, а также методы, средства и институты, с помощью который данные интересы формиру-ются, отстаиваются и защищаются. Региональной политикой можно считать лишь такую систему на-мерений и действий, которая реализует интересы государства в от-ношении регионов и внутренние интересы самих регионов методами и способами, учитывающими природу
User Aronitue9 : 21 февраля 2013
19 руб.
Лабораторная работа № 2. Интегральные и оптические сети. (любой вариант)
Лабораторная работа №2 На тему: Изучение технологии GFP По дисциплине: Интегральные и оптические сети Подходит для любого варианта. Цель работы: Изучение характеристик технологии GFP, структуры кадра GFP, управления GFP.
User radist24 : 17 марта 2013
50 руб.
up Наверх