Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №4
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По таблице 1. Тип фотоприемника (ФП) Лавинный фотодиод
Вариант№0
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h
Ширина запрещенной зоны D W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Вариант№4
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.1).
Вариант№0
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В
Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По таблице 1. Тип фотоприемника (ФП) Лавинный фотодиод
Вариант№0
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h
Ширина запрещенной зоны D W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Вариант№4
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.1).
Вариант№0
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В
Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 25.04.2012
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 25.04.2012
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем.
Vasay2010
: 28 апреля 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фоторезистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
52 руб.
Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №6
Vasay2010
: 28 апреля 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, n=0,2
Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисе
48 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №7
Vasay2010
: 30 апреля 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
39 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №5
Vasay2010
: 12 мая 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2.Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Плазменные панели.
49 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
shurik79997
: 1 сентября 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
150 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Philius
: 30 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 04.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 6 задачи соответствует предпоследней цифре шифра.
200 руб.
Контрольная работа. Вариант №4. Устройства оптоэлектроники
Leprous
: 8 июля 2015
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Изобразить принципиальную схему включения семи
35 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 19 августа 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge
Квантовая эффективность, η - 0,2
Ширина запрещенной зоны
150 руб.
Другие работы
Прямые налоги в РФ и перспективы их развития
Elfa254
: 27 октября 2013
Выпускная квалификационная (дипломная) работа: 72 страницы, 7 таблиц, 39 источников.
Налог, прямые налоги, налогоплательщик, объект налогообложения, налоговая ставка, налоговые вычеты, налоговая база, налоговый период, налоговая декларация, доход, имущество, перспективы развития, игорный бизнес, полезные ископаемые, вменённый доход, прибыль.
Тема: «Прямые налоги в РФ и перспективы их развития».
Цель: изучение прямых налогов и перспектив их развития в условиях рыночной экономики Российской Фед
10 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 12 Вариант 17
Z24
: 25 февраля 2026
Определить удельный тепловой поток и коэффициент теплоотдачи излучения между двумя параллельно расположенными пластинами, с температурой t1 и t2 и степенью черноты ε1 и ε2.
Как изменится удельный тепловой поток, если между пластинами установить экран со степенью черноты εэ.
200 руб.
Региональная политика России: концепции, проблемы, решения
Aronitue9
: 21 февраля 2013
I. Региональная политика России концепции, проблемы, решения. Любая политика - это цели и задачи, преследуемые и решаемые людьми в связи с их конкретными интересами, а также методы, средства и институты, с помощью который данные интересы формиру-ются, отстаиваются и защищаются. Региональной политикой можно считать лишь такую систему на-мерений и действий, которая реализует интересы государства в от-ношении регионов и внутренние интересы самих регионов методами и
способами, учитывающими природу
19 руб.
Лабораторная работа № 2. Интегральные и оптические сети. (любой вариант)
radist24
: 17 марта 2013
Лабораторная работа №2
На тему: Изучение технологии GFP
По дисциплине: Интегральные и оптические сети
Подходит для любого варианта.
Цель работы: Изучение характеристик технологии GFP, структуры кадра GFP, управления GFP.
50 руб.