Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 16. 3-й семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
03.06.2015
-
Размер:
517 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
vindemia
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ОптоэлектроникаКонтрольнаяРабота.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) - 6. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб. 3).
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) - 6. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб. 3).
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.02.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.02.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №16
Учеба "Под ключ"
: 7 января 2017
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 6
Тип фотоприемника (ФП): Составной фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточув
Учеба "Под ключ"
: 7 января 2017
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
ua9zct
: 17 марта 2015
50 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
ramzes14
: 15 февраля 2013
Вопросы к зачету:
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
ramzes14
: 15 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Dimark
: 21 января 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
Dimark
: 21 января 2013
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Другие работы
Зачетная работа по дисциплине: Пакеты прикладных программ для экономистов. Билет №4
Учеба "Под ключ"
: 2 сентября 2017
Билет №14
1. Приведите примеры интегрированных ППП. В чем отличия интегрированных систем?
2. Перечислите возможности пакетов поддержки аналитических исследований.
3. Выполните в среде Excel следующее задание:
Задание.
В списке из 25 записей приведены данные: марка автомобиля, страна изготовитель, год выпуска, цена, количество.
Выведите список автомобилей отечественного производство с ценой выше среднего значения цены в списке.
Определите количество автомобилей каждой марки.
Учеба "Под ключ"
: 2 сентября 2017
400 руб.
Компас -3D LT версия 5.11
СергеевЕА
: 11 апреля 2009
Облегченная версия профессиональной системы трехмерного моделирования Компас -3D LT версия 5.11
Позволяет создавать трехмерные модели деталей и выпускать конструкторскую документацию.
Особенности использования Компас -3D LT версия 5.11
Система Компас -3D LT версия 5.11 предназначена для использования исключительно в ознакомительных и учебных целях. Вы можете выполнять в Компас -3D LT версия 5.11 собственные домашние задания, курсовые и дипломные проекты, прочие учебные работы, а также документ
СергеевЕА
: 11 апреля 2009
10 руб.
Нанопища - проблемы обеспечения безопасности для человека
Elfa254
: 27 декабря 2013
Реферат по дисциплине
«Стандартизация и контроль качества продукции общественного питания»
на тему: «Нанопища – проблемы обеспечения безопасности для человека»
Содержание
Введение 3
Нужны нанотехнологии в еде? 5
Наночай 6
Нановитамины 6
Ставка на белки 7
Нанокремний и нанофильтрация 9
Нанотехнологии в упаковке 10
Увеличение сроков годности пищевых продуктов 10
Изготовленной съедобной упаковки 11
Упаковочные материалы с антимикробными свойствами 11
Использование наномаркеров 11
«Экологическая»
Elfa254
: 27 декабря 2013
5 руб.
Гидравлика УрИ ГПС МЧС Задание 5 Вариант 12
Z24
: 22 марта 2026
Ответить на теоретические вопросы:
Приведите уравнения движения идеальной и реальной жидкости и поясните, что характеризуют отдельные их члены.
Напишите уравнение Бернулли для элементарной струйки идеальной жидкости и для потока реальной жидкости. Объясните его физический смысл и дайте геометрическую интерпретацию.
Решить задачу:
Рассчитать, какое минимальное давление необходимо создать на насосе автоцистерны, чтобы подать ствол РС-70 (5.ствол А) в окно 3-го этажа с расходом Q и длиной р
Z24
: 22 марта 2026
110 руб.
