Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 16. 3-й семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
03.06.2015
-
Размер:
517 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
vindemia
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ОптоэлектроникаКонтрольнаяРабота.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) - 6. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб. 3).
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) - 6. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб. 3).
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.02.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.02.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №16
Учеба "Под ключ"
: 7 января 2017
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 6
Тип фотоприемника (ФП): Составной фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточув
Учеба "Под ключ"
: 7 января 2017
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
ua9zct
: 17 марта 2015
50 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
ramzes14
: 15 февраля 2013
Вопросы к зачету:
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
ramzes14
: 15 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Dimark
: 21 января 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
Dimark
: 21 января 2013
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Другие работы
Проектирование автотракторного двигателя
Aronitue9
: 2 февраля 2015
Выбор типа и основных параметров двигателя внутреннего сгорания;
Тепловой расчёт двигателя;
Построение индикаторной диаграммы и определение основных показателей работы двигателя;
Анализ влияния заданного параметра на технико-экономические показатели работы двигателя;
Тепловой баланс двигателя;
Определение основных размеров и комплексных показателей двигателя;
Кинематический и динамический расчёт кривошипно-шатунного механизма двигателя;
Расчет системы питания;
Регуляторная характеристика двигате
Aronitue9
: 2 февраля 2015
Строительство газопровода высокого давления
alfFRED
: 19 февраля 2015
В данном дипломном проекте рассмотрены вопросы проектирования участка магистрального газопровода. Рассмотрен комплекс мероприятий по усовершенствованию строительного потока, повышению защиты газопровода от коррозии, а также вариант прокладки трубопровода под автодорогой. Рассчитана толщина стенки кожуха, проверка трубопровода на прочность и устойчивость.
Разработаны методы по уменьшению вредного воздействия на окружающую среду, снижению себестоимости перекачки газа.
alfFRED
: 19 февраля 2015
55 руб.
Проект столовой при предприятии
кристина3005
: 9 января 2009
проект столовой при предприятии на 100 мест общее описание, расчеты оборудования
1.Введение:
-Значения общественного питания.
-Понятие о предприятии общественного питания.
-Понятие о рынке продукции и услуг общественного питания.
-Основные направления организация общественного питания в связи с переходом к рыночной экономике.
-Сущность и основные направления инновационной политики общественном питании.
-Индустриализация общественного питания.
-Индустриальные методы приготовления пищи.
-Конкурен
кристина3005
: 9 января 2009
Экзаменационная работа по дисциплине: Математический анализ. Билет № 10.
Доцент
: 25 февраля 2014
1. Производная скалярного поля по направлению. Градиент скалярного поля, его вычисление и свойства.
Пусть задана дифференцируемая функция скалярного поля .
Рассмотрим точку этого поля и луч , выходящий из точки P в направлении единичного вектора где –углы, образованные вектором с осями координат. Пусть – какая-нибудь другая точка этого луча. Обозначим – расстояние между точками P и ; называют величиной перемещения. Приращением функции в направлении назовем разность .
2. Вычислить
Доцент
: 25 февраля 2014
250 руб.
