50

Лабораторная работа №1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе

ID: 157518
Дата закачки: 08 Сентября 2015
Продавец: evanarty (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Office
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Вариант №02
Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).



Комментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.12.2012
Рецензия:
Бородихин Михаил Григорьевич

Размер файла: 1,2 Мбайт
Фаил: (.doc)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

Скачать

Добавить в корзину

Занесено в корзину

    Скачано: 4         Коментариев: 0

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Лабораторные работы №1-2 по дисциплине "Схемотехника телекоммуникационных устройств". Вариант 05.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №1
2020 г. Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторные работы №1-3. Вариант 2
Лабораторные работы №1 и №2 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №1. СИБГУТИ. ДО
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №3.
Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №9
Лабораторная работа №1. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Вариант №4.
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.